时间：2025/12/27 20:32:40
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74ABT543APW 是一款由 Nexperia（原 Philips Semiconductors）生产的高性能、低功耗 CMOS 八路透明 D 类锁存器，采用先进的 BiCMOS 工艺技术制造。该器件属于 74ABT 系列，专为高速、高驱动能力和 TTL 兼容性而设计，适用于需要在高噪声环境中进行可靠数据锁存和总线接口的应用场景。74ABT543APW 包含八个独立的 D 型锁存器，每个锁存器均具有数据输入（D）、输出（Q）以及三态输出控制功能。器件通过锁存使能（LE）信号控制数据锁存操作：当 LE 为高电平时，输入数据被透明传输至输出端；当 LE 变为低电平，输入数据被锁存，输出保持当前状态。此外，输出使能（OE）引脚用于控制输出级的启用与禁用，当 OE 有效时，所有输出进入高阻抗状态，允许器件直接连接到双向或共享数据总线系统。该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子及嵌入式系统中的数据缓冲、地址锁存和总线驱动等场合。74ABT543APW 采用 20 引脚 TSSOP 封装（PW 后缀），具有较小的占板面积，适合高密度 PCB 设计，并具备良好的热稳定性和电气性能。器件工作电压范围为 4.5V 至 5.5V，兼容标准 5V TTL 逻辑系统，同时具备高噪声抑制能力，确保在复杂电磁环境下仍能稳定运行。
型号：74ABT543APW
封装类型：TSSOP-20
逻辑系列：74ABT
电源电压（VCC）：4.5V ~ 5.5V
最大传播延迟：约 5ns（典型值，VCC=5V）
逻辑功能：八路 D 类锁存器（透明锁存）
输出类型：三态
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
输出驱动能力：±24mA（输出低时灌电流，输出高时拉电流）
输入类型：TTL 兼容
输出使能控制：低电平有效（OE）
锁存使能控制：高电平有效（LE）
最大时钟频率：无时钟（异步锁存）
静态电流（ICC）：典型值 < 10μA（待机状态）
输入钳位电流：-50mA（最大）
ESD 保护：HBM > 2000V
74ABT543APW 的核心特性之一是其高性能 BiCMOS 工艺技术，结合了双极型晶体管的高速驱动能力和 CMOS 技术的低功耗优势，使其在高频开关应用中表现出色。该器件支持高达 5ns 的典型传播延迟，能够满足高速数字系统对快速响应的需求。其输出级设计具备 ±24mA 的强大驱动能力，其中低电平输出可提供高达 24mA 的灌电流，特别适用于直接驱动 LED、继电器或其他高负载设备，无需额外的驱动电路，从而简化系统设计并降低成本。此外，三态输出功能使得多个器件可以共享同一数据总线，通过 OE 控制实现总线隔离，提升系统的灵活性和扩展性。
另一个关键特性是其优异的 TTL 电平兼容性和高噪声抗扰度。74ABT543APW 的输入阈值经过优化，与标准 TTL 逻辑电平完全兼容，确保在混合逻辑系统中无缝集成。其输入端内置钳位二极管，可有效防止过压和静电放电（ESD）损坏，HBM 模型下 ESD 耐受能力超过 2000V，增强了器件在工业环境中的可靠性。工作温度范围宽达 -40°C 至 +125°C，使其适用于严苛的工业和汽车应用环境。TSSOP-20 小尺寸封装不仅节省 PCB 空间，还具备良好的散热性能，有助于提高系统整体稳定性。此外，该器件在待机状态下静态电流极低，典型值小于 10μA，有助于降低系统功耗，延长电池供电设备的使用寿命。综合这些特性，74ABT543APW 在高速数据锁存、总线接口和电平转换等应用中表现出卓越的性能和可靠性。
74ABT543APW 广泛应用于需要高速数据锁存和总线管理的数字系统中。在工业自动化控制系统中，常用于锁存传感器数据、执行器控制信号或地址总线信息，确保在处理器与外设之间实现稳定可靠的数据传输。在通信设备中，该器件可用于接口模块的数据缓冲，例如在 UART、SPI 或并行通信总线中作为数据暂存单元，提升系统响应速度和数据完整性。消费类电子产品如打印机、扫描仪和多媒体设备也常采用该芯片进行显示驱动控制或按键状态锁存。
在嵌入式系统和微控制器应用中，74ABT543APW 可作为地址锁存器，配合微处理器的地址/数据复用总线（如 Intel 总线模式），在 ALE（地址锁存使能）信号控制下分离地址与数据信号，从而扩展外部存储器或 I/O 端口。其高驱动能力使其适用于直接驱动七段显示器、LED 阵列或多路继电器模块，减少外围元件数量。此外，在测试测量仪器和数据采集系统中，该器件可用于采样数据的临时存储，确保在主控单元处理期间数据不丢失。由于其三态输出特性，多个 74ABT543APW 可并联在同一总线上，通过片选或 OE 信号实现多设备协同工作，适用于构建模块化、可扩展的系统架构。
SN74ABT543APW
74ABT543DB
74ABT543DGG
