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FDD86250 发布时间 时间:2025/5/12 20:48:38 查看 阅读:7

FDD86250 是一款高性能的 N 沃特定压功率晶体管,适用于高频和高效率开关应用。它采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块和电机驱动等场景。
  该器件内部集成有保护电路,能够有效防止过热、过流和短路等情况,从而提高系统可靠性。此外,FDD86250 具备良好的热稳定性和耐用性,使其在苛刻的工作环境下仍能保持稳定性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:140A
  导通电阻(典型值):1.7mΩ
  栅极电荷(典型值):250nC
  开关频率范围:高达 1MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:D2PAK

特性

1. 极低的导通电阻,可以显著降低功率损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,非常适合于紧凑型设计和高动态响应需求。
  3. 内置多种保护机制,包括过温保护、过流保护以及短路保护,提高了系统的可靠性和安全性。
  4. 支持宽广的工作温度范围,适应恶劣环境下的使用需求。
  5. 使用 D2PAK 封装,具备优秀的散热性能和电气连接稳定性。

应用

1. DC-DC 转换器中的主开关元件。
  2. 开关电源(SMPS)中的功率级组件。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器电路。
  5. 工业自动化设备中的负载切换与控制模块。

替代型号

FDP86250, IRF86250

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FDD86250参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2110pF @ 75V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD86250-NDFDD86250TR