IRFK4HE50 时间：2025/5/10 9:23:22 阅读：11

IRFK4HE50是一款由英飞凌（Infineon）生产的增强型N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的场效应晶体管技术，具备高效率、低导通电阻和快速开关性能的特点，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他电力电子应用。其封装形式为TO-247-3，具有良好的散热性能，能够承受较高的电流和电压。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：210A
　　导通电阻：1.6mΩ（典型值，Vgs=15V）
　　栅极电荷：95nC
　　输入电容：4800pF
　　开关频率：高达1MHz
　　工作温度范围：-55℃至175℃

特性

IRFK4HE50采用最新的硅工艺制造，具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频应用场景。
　　3. 高额定电流能力，使其适用于大功率负载。
　　4. 坚固的热设计，确保在高温环境下可靠运行。
　　5. 优化的栅极驱动要求，简化了驱动电路设计。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅封装。

应用

IRFK4HE50广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
　　2. DC-DC转换器的核心功率器件。
　　3. 电机驱动器中的功率级元件。
　　4. 太阳能逆变器和储能系统的功率模块。
　　5. 工业控制设备中的功率调节组件。
　　6. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统和驱动电路。