时间：2025/12/27 8:39:01
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UT30N06是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压工艺制造，专为高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要低导通电阻和快速开关响应的应用而设计。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适用于多种工业控制与消费类电子设备中的功率管理场景。UT30N06的额定电压为60V，能够承受较高的漏源电压，在中等功率应用中表现出色。其封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适合通孔或表面贴装工艺。由于采用了优化的元胞设计和沟槽栅技术，UT30N06在保持较低栅极电荷的同时实现了极低的导通电阻，从而有效降低传导损耗并提升系统整体效率。此外，该器件还具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的鲁棒性，提高了系统的安全裕度。UT30N06广泛应用于笔记本适配器、LED驱动电源、电动工具、电动车控制器以及各类开关模式电源（SMPS）中。作为一款性价比高的国产MOSFET产品，它在替代国际品牌同类器件方面也具备较强竞争力，尤其在成本敏感型项目中受到广泛欢迎。
型号：UT30N06
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25℃：30A
脉冲漏极电流（Idm）：120A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：≤7.5mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：≤10mΩ
阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
栅极电荷（Qg）：50nC @ Vds=30V, Id=15A
输入电容（Ciss）：1800pF @ Vds=30V
输出电容（Coss）：550pF
反向恢复时间（trr）：25ns
二极管正向电压（Vsd）：1.2V
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220 / TO-252
UT30N06采用先进的沟道结构设计与高压制造工艺，具备出色的电气性能与热稳定性。其核心优势在于极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下可低至7.5mΩ，显著减少了大电流通过时的功率损耗，有助于提高电源转换效率并降低温升。这一特性使其特别适用于高频率开关电路中，如同步整流、半桥/全桥拓扑结构等。同时，即使在较低的驱动电压下（例如4.5V），其导通电阻仍能维持在10mΩ以内，这保证了在使用逻辑电平信号直接驱动时依然具备良好性能，增强了系统兼容性。
该器件的栅极电荷Qg仅为50nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，从而降低了驱动电路的设计难度，并有利于实现更高的开关频率。配合相对较小的输入电容（Ciss=1800pF），可以减少开关延迟和米勒效应的影响，进一步提升动态响应速度。此外，UT30N06内置体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=25ns），能够在硬开关应用中有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统可靠性。
从可靠性角度看，UT30N06具备宽泛的工作结温范围（-55℃~+150℃），可在恶劣环境温度下稳定运行。器件经过严格的高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等可靠性测试，确保长期使用的稳定性。封装采用标准TO-220或TO-252形式，具有良好散热能力，便于安装于散热片上，适用于中高功率密度设计。整体来看，UT30N06不仅在性能上接近甚至媲美国际主流品牌同规格产品，且在成本控制方面更具优势，是中小功率电力电子系统中理想的功率开关选择。
UT30N06广泛应用于各类中低电压直流系统中的功率开关场合。典型应用包括但不限于：开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器、PC电源模块等，在这些系统中常用于初级侧或次级侧的功率开关管，尤其是同步整流拓扑中发挥高效节能作用；DC-DC转换器，如Buck、Boost及Buck-Boost电路，适用于通信设备、工业控制系统、便携式设备供电单元等对效率要求较高的场景；电机驱动领域，包括小型直流电机、步进电机驱动板、电动玩具、电动车控制器等，凭借其大电流承载能力和快速响应特性，可实现平稳启停与调速控制；此外，还常见于LED恒流驱动电源、逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路等。得益于其高可靠性和良好的性价比，UT30N06也被大量用于家用电器、工业自动化设备以及新能源相关产品中，满足多样化电力控制需求。
AP3006N, APM30N06G, FQP30N06L, IRL3006, STP30N06L
