FQD17P06TM 时间：2025/8/2 9:07:03 阅读：18

FQD17P06TM是一款P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由富昌电子（Fairchild Semiconductor）制造。该器件专为高效率电源管理应用设计，适用于负载开关、电源转换器和电池供电设备中的功率控制。FQD17P06TM采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高可靠性，适合在紧凑空间中使用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-17A（在25°C）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　导通电阻（Rds(on)）：约28mΩ（在Vgs=-10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

FQD17P06TM具备多项优异特性，使其适用于高性能电源管理系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高能效。其次，该器件支持高电流能力，连续漏极电流可达-17A，适合高功率负载应用。此外，FQD17P06TM采用TO-252（DPAK）封装，提供良好的散热性能，同时节省PCB空间。其栅极驱动电压范围宽广（±20V），确保稳定操作，并兼容多种控制电路。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强在高应力环境下的可靠性。FQD17P06TM的工作温度范围广泛，可在极端环境下稳定运行。其设计优化了开关性能，减少开关损耗，适用于高频开关应用。最后，该器件符合RoHS标准，确保环保合规性，适合现代绿色电子产品设计。
　　FQD17P06TM的沟槽技术使其在低Vgs电压下仍能保持较低的导通电阻，这使其适用于低电压控制电路。此外，该MOSFET的封装设计提供了良好的热管理能力，确保在高电流应用中不会过热，从而延长器件寿命。由于其高可靠性和紧凑的封装，FQD17P06TM被广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、电池保护电路以及负载开关等应用。

应用

FQD17P06TM广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。其典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流器、负载开关、电池充电与管理系统、电源管理单元（PMU）以及高效率电源适配器。此外，该器件也适用于工业自动化设备、汽车电子系统、便携式电子产品和服务器电源等需要高效能功率管理的场合。由于其低导通电阻和高电流能力，FQD17P06TM特别适合用于需要低功耗和高可靠性的应用，如高性能计算设备和嵌入式系统。