类型：16位透明D类锁存器
　　逻辑系列：74ABT
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　最大工作频率：50MHz（典型值）
　　传播延迟时间（tpd）：约5ns（典型值）
　　输出类型：三态
　　输出使能控制：低电平有效
　　锁存使能控制：高电平有效
　　输入电平兼容性：TTL
　　封装形式：TSSOP-48
　　引脚数：48
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大驱动能力：±24mA（输出低电平时）
　　功耗特性：低静态电流，动态功耗随频率增加而上升

74ABT16373BDGG的核心特性之一是其高速性能，得益于ABT（Advanced BiCMOS Technology）工艺的支持，该器件能够在保持低功耗的同时实现极快的开关速度。其传播延迟时间在典型条件下仅为约5ns，使其非常适合用于需要快速响应的实时数据处理系统。此外，该器件具备宽电压工作范围（4.5V~5.5V），确保在电源波动情况下仍能稳定运行，提高了系统可靠性。
　　另一个重要特性是其双八位结构设计，包含两个独立的8位锁存器模块，每个模块都有各自的锁存使能（LE）和输出使能（OE）控制引脚，这种架构允许用户对高低字节分别进行操作，提升了数据管理的灵活性。例如，在微处理器系统中，可以分时锁存地址或数据总线的不同部分，实现高效的总线复用控制。
　　该芯片还具备三态输出能力，当输出被禁用时，输出端口处于高阻抗状态，避免了总线竞争问题。这一特性使得多个74ABT16373BDGG或其他三态器件可以共用同一数据总线，通过合理的使能信号调度实现多设备间的数据切换，广泛应用于多主控或多外设的系统架构中。
　　在电气特性方面，74ABT16373BDGG提供较强的驱动能力，输出低电平时可吸收高达24mA的电流，足以直接驱动LED、继电器或长距离传输线等负载。同时，其输入端具有较高的噪声抑制能力，能够有效抵抗电磁干扰，保障信号完整性。器件内部集成有保护二极管，防止静电放电（ESD）造成的损坏，增强了现场使用的鲁棒性。
　　此外，该芯片采用TSSOP-48小型化封装，节省PCB空间，适用于紧凑型电子产品设计。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），可在恶劣环境条件下长期稳定运行，适用于工业自动化、车载电子及户外通信设备等应用场景。

74ABT16373BDGG主要应用于需要高速、可靠数据锁存和缓冲的各种数字系统中。在微处理器和微控制器系统中，它常被用作地址锁存器，配合地址/数据复用总线架构，在ALE（地址锁存使能）信号控制下将地址信息锁存并保持，以便后续进行数据传输。由于其双8位独立控制结构，特别适合于分离高字节和低字节地址的操作，广泛应用于嵌入式控制系统和单板计算机设计。
　　在通信设备中，该芯片可用于数据帧缓存、协议转换器中的电平匹配和信号整形，提升系统间的互操作性。例如，在串行到并行转换接口或并行数据采集系统中，利用其透明锁存功能可实现对外部设备输出数据的同步捕获与暂存。
　　工业控制领域中，74ABT16373BDGG可用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的I/O扩展单元，作为输入信号的缓冲器或输出信号的锁存驱动器，增强系统的抗干扰能力和驱动能力。其高噪声 immunity 和宽温工作范围使其适应工厂环境下的复杂电磁条件。
　　此外，在测试测量仪器、打印机、扫描仪等办公自动化设备中，该器件用于图像数据或控制命令的临时存储与输出控制。在需要多路并行数据处理的场合，如FPGA或CPLD外围接口电路中，也可使用该芯片作为中间缓冲层，协调不同速率模块之间的数据交换。
　　由于其5V TTL兼容特性，74ABT16373BDGG也适用于老式工业设备升级项目中，作为新旧系统接口的电平转换与信号调理元件，实现平稳过渡和技术兼容。

SN74ABT16373BDGVR
　　CD74ABT16373BDGG
　　IDT74ABT16373BDGG