TD10KN 是一款广泛应用于电源管理和功率转换领域的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点,适合用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及各种高效率电源系统。该器件采用TO-220封装,具有良好的散热性能,适用于工业级工作环境。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):≤0.45Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):1V~3V
最大栅极电压:±20V
功耗(Pd):60W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220
TD10KN 的核心优势在于其低导通电阻和高耐压能力,这使得它在高效率电源设计中表现出色。低Rds(on)不仅减少了导通损耗,还提高了系统的整体效率,降低了发热。
此外,该器件具有快速开关特性,适用于高频开关应用,如同步整流、PWM控制和DC-DC变换器。其TO-220封装形式具备良好的散热能力,适用于中高功率应用场景。
TD10KN 还具有较高的雪崩能量承受能力,增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。这使得它在电机驱动、电源保护电路中具有更好的抗冲击性能。
该MOSFET具有较高的输入阻抗,降低了栅极驱动电路的功耗,同时具备良好的热稳定性,适合长时间工作在高温环境中。
TD10KN 主要应用于以下领域:
1. DC-DC转换器:用于升压(Boost)或降压(Buck)电路中,实现高效能电压转换。
2. 电源开关:作为负载开关或电源管理模块中的关键开关元件。
3. 电机控制:用于H桥驱动电路中,实现对直流电机的正反转和速度控制。
4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制与保护电路。
5. 工业自动化:用于PLC模块、继电器替代方案和工业电源设计中。
IRFZ44N, FDPF10N10, STP10NK50Z, FQP10N10