TD10KN 时间：2025/9/6 10:15:50 阅读：22

TD10KN 是一款广泛应用于电源管理和功率转换领域的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及各种高效率电源系统。该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于工业级工作环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.45Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~3V
　　最大栅极电压：±20V
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

TD10KN 的核心优势在于其低导通电阻和高耐压能力，这使得它在高效率电源设计中表现出色。低Rds(on)不仅减少了导通损耗，还提高了系统的整体效率，降低了发热。
　　此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、PWM控制和DC-DC变换器。其TO-220封装形式具备良好的散热能力，适用于中高功率应用场景。
　　TD10KN 还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。这使得它在电机驱动、电源保护电路中具有更好的抗冲击性能。
　　该MOSFET具有较高的输入阻抗，降低了栅极驱动电路的功耗，同时具备良好的热稳定性，适合长时间工作在高温环境中。

应用

TD10KN 主要应用于以下领域：
　　1. DC-DC转换器：用于升压（Boost）或降压（Buck）电路中，实现高效能电压转换。
　　2. 电源开关：作为负载开关或电源管理模块中的关键开关元件。
　　3. 电机控制：用于H桥驱动电路中，实现对直流电机的正反转和速度控制。
　　4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制与保护电路。
　　5. 工业自动化：用于PLC模块、继电器替代方案和工业电源设计中。