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74404041680 发布时间 时间:2025/8/8 2:49:01 查看 阅读:17

74404041680 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管。该器件主要用于电源管理和功率转换应用,具有高效率、低导通电阻和高可靠性等优点。该MOSFET为N沟道类型,适用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等多种电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):0.033Ω
  栅极电荷(Qg):35nC
  封装类型:TO-220AB
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C

特性

74404041680 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有较低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流工作时能够减少功率损耗并提高系统效率。此外,该器件具有较高的击穿电压(60V),可在多种电源应用中提供稳定的性能。其快速开关特性减少了开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。MOSFET的封装形式为TO-220AB,便于散热,适用于高功率密度设计。此外,该器件具有良好的热稳定性和耐用性,能够在高温环境下可靠运行,适合工业级和汽车电子应用。

应用

74404041680 广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。例如,它可用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,实现高效的AC-DC或DC-DC能量转换。此外,该MOSFET也可用于电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的功率控制模块。在工业自动化设备中,该器件可用于驱动继电器、电磁阀和直流电机等负载。由于其优异的导通性能和高可靠性,它也适用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和储能系统等应用领域。

替代型号

SiHH40N60E

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74404041680参数

  • 现有数量256现货
  • 价格1 : ¥9.54000剪切带(CT)4,500 : ¥5.03231卷带(TR)
  • 系列WE-LQS
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型绕线
  • 材料 - 磁芯-
  • 电感68 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)450 mA
  • 电流 - 饱和 (Isat)480mA
  • 屏蔽半屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)1.495 欧姆
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振13MHz
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.157" 长 x 0.157" 宽(4.00mm x 4.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.047"(1.20mm)