70CRU04 时间：2025/12/26 20:16:58 阅读：10

70CRU04 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温应用而设计。该器件采用先进的碳化物半导体技术，结合了零反向恢复电流（Zero Recovery Current）、快速开关特性以及出色的热性能，使其成为众多电源转换系统中的理想选择。70CRU04 属于 Vishay 的第二代 SiC 肖特基二极管系列，具备更高的可靠性与更优的动态性能。其主要封装形式为 TO-252（D-Pak），适合自动化装配流程，并具有良好的散热能力。该二极管广泛应用于开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC 转换器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高性能电力电子设备中。由于其无反向恢复电荷的特性，能够显著降低开关损耗，提升系统整体效率，并允许更高的工作频率，从而减小磁性元件和滤波器的体积，实现系统小型化。此外，70CRU04 可在高达 175°C 的结温下持续工作，表现出优异的热稳定性，适用于恶劣环境下的长期运行。

参数

类型：碳化硅（SiC）肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：400 V
　　平均整流电流（IF(AV)）：70 A
　　正向压降（VF）：典型值 1.65 V（在 IF = 70 A, TC = 25°C 条件下）
　　非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：800 A（单个半正弦波，60 Hz）
　　反向漏电流（IR）：最大 200 μA（在 VR = 400 V, TC = 25°C）；高温下典型值小于 10 mA（在 VR = 400 V, TC = 150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +185 °C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJC）：典型值 1.2 °C/W
　　反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复电荷）
　　引线材料：铜框架，镀银处理
　　符合 RoHS 指令：是
　　符合 REACH 标准：是
　　无卤素（Halogen-Free）：是

特性

70CRU04 的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料，相较于传统硅基二极管，SiC 材料具有更高的禁带宽度（约3.2 eV），这使得器件能够在更高电压、更高温度和更高频率条件下稳定运行。由于没有少数载流子存储效应，该二极管在关断过程中不会产生反向恢复电流（Qrr ≈ 0），从而彻底消除了由反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰（EMI）问题，这对提高电源系统的整体效率至关重要。特别是在连续导通模式（CCM）的 PFC 电路中，传统硅快恢复二极管因存在较大的 Qrr 而导致显著的损耗，而 70CRU04 几乎为零的恢复电荷可大幅降低这些损耗，提升能效达2%～5%，并减少对散热系统的要求。
　　该器件具备出色的热性能，其低正向压降（VF）和低热阻（RθJC）相结合，确保即使在高电流密度下也能维持较低的工作温度。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于工业、通信及汽车级应用中的严苛环境。TO-252 封装提供了良好的机械强度和焊接可靠性，并支持自动贴片工艺，便于大规模生产。此外，70CRU04 具有较强的抗浪涌能力，非重复峰值正向浪涌电流可达800 A，表明其在瞬态过载或启动冲击条件下仍能保持稳定可靠。所有电气参数均经过严格测试，并在数据手册中提供详细的温度依赖曲线，方便工程师进行精确的热设计与系统仿真。

应用

70CRU04 广泛用于各类高效能电力电子系统中，尤其适用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的场合。在通信电源和服务器电源中，它常被用作输出整流二极管或 PFC 升压二极管，帮助实现 80 PLUS 钛金等级以上的能效标准。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧升压电路，利用其零反向恢复特性降低开关损耗，提高逆变器转换效率，并减少滤波元件体积。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，70CRU04 可作为主整流或辅助电源模块的关键组件，支持高频化设计并提升系统功率密度。此外，在工业电机驱动、UPS 不间断电源以及高功率 LED 驱动电源中，该二极管也发挥着重要作用，有效改善动态响应和热管理表现。由于其耐高温特性，还可用于密闭空间或自然冷却设计的产品中，无需额外强制风冷即可稳定运行。