H5MS1G62MFP-E3 时间：2025/9/1 16:08:18 阅读：13

H5MS1G62MFP-E3是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的128MB（1Gbit）的移动式动态随机存取存储器（Mobile DRAM）芯片。该芯片专为低功耗应用设计，适用于移动设备如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。其封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具有较高的集成度和稳定性。

参数

容量：128MB (1Gbit)
　　组织结构：x16
　　工作电压：1.7V - 3.3V
　　时钟频率：最大可达166MHz
　　封装类型：FBGA
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms
　　访问时间：5.4ns
　　功耗：典型值为120mA（待机模式下为10mA）

特性

H5MS1G62MFP-E3具备多项先进的低功耗技术，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，使其在移动设备中能够有效延长电池寿命。
　　该芯片支持异步和同步操作模式，提供灵活的接口选项，以适应不同的系统需求。
　　其高密度存储单元设计结合先进的CMOS制造工艺，确保了芯片在高频操作下的稳定性和可靠性。
　　此外，H5MS1G62MFP-E3具备良好的散热性能，能够在高负载工作条件下保持较低的温升，从而提高系统的整体稳定性。
　　该芯片还支持多种数据掩码功能，可在数据写入过程中实现更高的灵活性和效率。

应用

H5MS1G62MFP-E3广泛应用于各种低功耗便携式设备，包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和手持式游戏机。
　　在嵌入式系统中，该芯片可用于缓存存储器、帧缓冲区或临时数据存储，以提升系统的运行速度和响应能力。
　　由于其低功耗特性，该芯片也常用于需要长时间运行且对电池寿命要求较高的物联网（IoT）设备和移动计算设备。
　　此外，H5MS1G62MFP-E3也可用于工业控制设备、医疗监测设备和车载信息系统等对可靠性和能效有较高要求的应用场景。