6N10G-TN3-R 时间：2025/12/27 7:26:33 阅读：18

6N10G-TN3-R是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装光耦合器（光电耦合器），属于高性能、高隔离电压的晶体管输出型光耦系列。该器件采用紧凑的SOP-4封装，内部集成了一个红外发光二极管和一个光电晶体管，用于在输入和输出之间提供电气隔离，同时实现信号的传输。6N10G-TN3-R广泛应用于需要高抗噪声能力和电气隔离的电路中，例如开关电源反馈回路、工业控制、通信接口隔离、微控制器I/O隔离以及各种数字信号隔离场合。
　　这款光耦设计符合现代电子产品对小型化、高可靠性和长寿命的要求。其SOP-4封装适合自动化表面贴装工艺，有助于提高生产效率并减少PCB占用空间。6N10G-TN3-R具有良好的温度稳定性，能够在较宽的环境温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和消费类电子应用环境。此外，该器件通过了多项国际安全认证，包括UL、CSA和VDE标准，确保在高电压隔离应用中的安全性与合规性。

参数

型号：6N10G-TN3-R
　　类型：晶体管输出光耦
　　封装：SOP-4
　　通道数：1
　　隔离电压：5000VRMS
　　输入正向电流：50mA
　　输入反向电压：5V
　　输出耐压：50V
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　响应时间（开通+关断）：3μs（典型）
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　最大功耗：150mW
　　绝缘电阻：10^11 Ω（最小）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：15 kV/μs（最小）

特性

6N10G-TN3-R具备优异的电气隔离性能，其隔离电压高达5000VRMS，能够有效防止高压对低压控制电路的干扰或损坏，确保系统运行的安全性。该光耦在输入侧采用砷化镓（GaAs）红外LED，具有稳定的发光特性和较长的使用寿命，即使在频繁开关或高温环境下也能保持良好的性能一致性。输出侧的硅光电晶体管经过优化设计，具备较高的灵敏度和快速响应能力，使其在高速信号传输应用中表现出色。
　　该器件的关键优势之一是其宽泛的电流传输比（CTR）范围，从50%到600%，这使得它在不同负载条件下都能保持良好的信号传递效率，减少了对外部驱动电路的依赖。同时，高CTR意味着可以在较低的输入电流下驱动输出端，从而降低系统功耗，提升能效。对于电池供电或低功耗设计的应用场景，这一点尤为重要。
　　6N10G-TN3-R还具备出色的抗干扰能力，其共模瞬态抗扰度（CMTI）指标达到15kV/μs以上，能够在存在快速电压变化的环境中可靠工作，避免因噪声引起的误触发。这一特性使其非常适合用于变频器、伺服驱动器、PLC等工业自动化设备中，作为信号隔离元件使用。
　　此外，该光耦通过了UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5等安全标准认证，并符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺。其SOP-4封装不仅节省空间，还便于进行波峰焊或回流焊加工，提升了制造良率和可靠性。整体而言，6N10G-TN3-R是一款兼顾性能、安全与可靠性的通用型光耦合器，适用于多种中低速信号隔离需求。

应用

6N10G-TN3-R广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈控制回路，用于将次级侧的电压调节信号隔离后传送到初级侧的PWM控制器，以实现闭环稳压。在工业控制系统中，它常被用于PLC输入/输出模块、继电器驱动电路以及现场总线通信接口的信号隔离，防止地环路干扰和高压窜入导致设备损坏。
　　在通信设备中，6N10G-TN3-R可用于RS-232、RS-485等串行通信接口的电平隔离，提高系统的抗噪能力和数据传输稳定性。此外，在医疗电子设备、测试测量仪器以及家电控制板中，该光耦也常用于微处理器与外部执行器之间的信号隔离，保障操作人员和设备的安全。
　　由于其高隔离电压和良好的温度适应性，6N10G-TN3-R还可用于新能源领域的逆变器、太阳能控制器和电动汽车充电模块中，作为状态检测或故障保护信号的隔离元件。总之，凡是需要在不同电位之间传递数字或模拟信号且要求电气隔离的场合，6N10G-TN3-R都是一个可靠的选择。