型号：S5N8947X01-E0
　　类型：LPDDR4X SDRAM
　　容量：8Gb（1GB）
　　组织结构：1x8Gb 或 2G x 4 Bit（具体视配置）
　　供电电压：VDD/VDDQ = 1.8V / 1.1V（典型值）
　　I/O电压：1.1V
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C（商业级）
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：根据密度和位宽确定，常见为90或100球面阵列
　　数据速率：最高可达4266 Mbps（MT/s）
　　接口类型：双倍数据率（DDR）
　　预取架构：8n-Prefetch
　　时钟频率：最高2133MHz（差分CK/CK#）
　　功能特性：支持自刷新、部分阵列自刷新（PASR）、温度传感器输出、深度掉电模式

S5N8947X01-E0作为一款高性能低功耗DRAM芯片，具备多项先进技术特性以满足现代移动设备的需求。其基于LPDDR4X标准构建，采用8n-prefetch架构，在保持与前代LPDDR4兼容性的同时进一步优化了功耗表现，尤其是在高频运行状态下通过降低I/O电压至1.1V显著减少了动态功耗。这一特性使得设备在进行高强度运算时仍能维持较长电池续航时间，特别适合应用于高端智能手机和平板电脑。
　　该芯片支持多种电源管理模式，包括自动刷新、自刷新、深度掉电模式（Deep Power Down Mode）以及部分阵列自刷新（PASR），允许系统根据实际使用情况灵活调节内存功耗。例如，在屏幕熄灭或后台待机状态下，可启用PASR仅保留必要数据区域刷新，从而大幅降低静态电流消耗。同时，集成的片上温度传感器可实时监测芯片内部温升，并通过模式寄存器向主控反馈温度状态，便于系统实施动态电压频率调节（DVFS）策略，提升热管理效率。
　　在性能方面，S5N8947X01-E0支持高达4266 MT/s的数据传输速率，提供出色的读写带宽，能够流畅应对4K视频录制、大型游戏渲染、多窗口操作及人工智能推理等高负载任务。其双通道架构设计提升了并行访问能力，每个通道独立控制命令与地址信号，增强了内存子系统的灵活性与响应速度。此外，该器件具有良好的信号完整性设计，支持ZQ校准功能，可通过外部参考电阻实现输出驱动阻抗和片内终端（ODT）的精确调整，确保高速信号传输的稳定性。
　　封装上采用紧凑型FBGA（细间距球栅阵列），有助于缩小PCB布局空间，提高系统集成度，尤其适用于轻薄化终端产品。生产过程中遵循严格的品质管控流程，具备高可靠性与长期供货稳定性，适用于消费类电子及工业级应用场景。整体而言，S5N8947X01-E0在性能、功耗、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代移动计算平台的理想内存解决方案。

S5N8947X01-E0广泛应用于各类高性能、低功耗的移动和嵌入式电子产品中。其主要应用领域包括高端智能手机和平板电脑，作为主内存与应用处理器配合使用，支持快速启动、多任务并行处理以及高清多媒体播放。在这些设备中，该芯片能够有效支撑Android或iOS系统的流畅运行，特别是在运行大型应用程序、3D游戏、AR/VR内容时提供充足的带宽保障。
　　此外，该器件也常见于便携式计算设备如超极本、二合一笔记本以及智能手表等可穿戴设备，助力实现更长的待机时间和更快的应用响应速度。在物联网（IoT）终端方面，如智能家居中枢、车载信息娱乐系统（IVI）、工业人机界面（HMI）和边缘AI计算模块中，S5N8947X01-E0凭借其低功耗特性和稳定性能，成为处理复杂算法和实时数据交互的理想选择。
　　由于其支持PoP（Package on Package）堆叠封装技术，该芯片还可直接堆叠在应用处理器之上，极大节省主板空间并缩短信号走线长度，提升系统整体电气性能与抗干扰能力，因此被广泛用于高度集成化的移动SoC平台设计中。同时，在需要快速图像处理的摄像头模组、无人机飞控系统以及便携医疗设备中也有部署实例。总体来看，凡是要求高带宽、低延迟和节能特性的电子系统，都是S5N8947X01-E0的典型应用场景。

S5L8947X01-E0
　　MT53E256M16D1NP-042 E:
　　K4FAB3N7MC-BI11