65LB184 时间：2025/12/24 17:48:30 阅读：22

65LB184 是一款由 IR（International Rectifier，现为 Infineon Technologies）生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高功率和高频应用，如开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC转换器以及逆变器等。65LB184 的最大漏源电压（VDS）为650V，连续漏极电流（ID）可达18A，在功率电子系统中具备较高的导通性能和较低的开关损耗。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：18A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：0.47Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：95nC
　　输入电容（Ciss）：1950pF
　　封装形式：TO-247

特性

65LB184 MOSFET具有低导通电阻和高电流承载能力，使其在高功率密度设计中表现出色。该器件的TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于高电压和高电流的工作环境。
　　其栅极驱动特性较为稳定，可与多种驱动电路兼容，且具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，适用于恶劣工况下的应用。
　　此外，65LB184在高频开关操作中具有较低的开关损耗，有助于提高电源转换效率并减少热量产生，从而提升系统的整体能效和可靠性。
　　由于其优异的电气性能和坚固的结构设计，65LB184广泛应用于工业电源、电机控制、UPS系统、光伏逆变器以及电动车充电设备等领域。

应用

65LB184 MOSFET主要应用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。典型应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动车充电模块）。该器件的高性能和可靠性使其成为工业级功率转换和控制系统的理想选择。