时间：2025/4/29 13:02:33
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BCT3661BELT-TR 是一款双通道 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用小型化的 LLP2512 封装。这款器件专为低电压应用设计，具有极低的导通电阻和高开关速度，适用于负载切换、电机驱动和电源管理等场景。
该型号结合了高性能与紧凑封装的优势，使其非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：3.7A
典型导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷：2.9nC
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LLP2512 (2.5x1.2mm)
功耗：0.5W
BCT3661BELT-TR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适合高频操作环境。
3. 高温适应性，支持高达 175°C 的结温。
4. 小型化封装，节省 PCB 布局空间。
5. 支持逻辑电平驱动，简化控制电路设计。
该器件广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域，包括但不限于：
1. 移动设备中的负载切换。
2. 电池供电系统中的电源管理。
3. 小型电机驱动与控制。
4. 信号调理与保护电路。
5. 开关电源及 DC-DC 转换器中的同步整流功能。
BCT3661BEHT-TR, BSC3661BELT-TR
