时间：2025/9/7 1:13:45
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64F3434TF16 是一款由美国半导体公司安森美半导体（ON Semiconductor）生产的场效应晶体管（MOSFET）。这款MOSFET属于功率型晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及工业自动化等高功率需求的电子系统中。该器件采用了先进的工艺技术，以实现高效的电能转换和良好的热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：260A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.7毫欧（在Vgs=10V）
最大功耗（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
栅极电压（Vgs）：最大±20V
工作模式：增强型
封装类型：表面贴装
64F3434TF16 具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了在高电流工作状态下的功率损耗，提高了系统效率。其采用TO-263封装，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下稳定工作。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的驱动电压，适用于多种驱动电路设计。
该器件还具有优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期运行。其内部结构优化设计，有效降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，64F3434TF16具有较高的短路耐受能力，能够在突发的高电流情况下保持器件的安全运行。
64F3434TF16 广泛应用于各种高性能电源系统中，例如大功率DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、服务器电源、工业电机驱动器、UPS不间断电源、汽车电子系统等。其优异的性能使其成为需要高效率、高可靠性功率开关的理想选择。
SiHF6434-E3, FDP6434, IRF3434PBF, NVTFS5C434NL, FDS6434
