时间：2025/9/20 11:14:38
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2SC4483-AN是一款由东芝（Toshiba）公司生产的NPN型硅双极结型晶体管（BJT），主要用于高频放大和开关应用。该器件采用紧凑的表面贴装小型封装（S-Mini或类似的小型化封装），适合高密度印刷电路板布局，广泛应用于便携式电子设备和高频信号处理系统中。2SC4483-AN设计用于在低电压、低电流条件下提供优异的高频响应性能，具备良好的增益特性和快速开关能力。该晶体管的工作频率范围宽，适用于射频（RF）放大器、音频前置放大器、驱动级放大以及各类模拟和数字开关电路。其结构优化了寄生电容和引线电感，从而提高了高频工作下的稳定性与效率。此外，2SC4483-AN符合环保要求，为无铅（Pb-free）产品，满足RoHS指令标准，适用于现代绿色电子产品制造流程。器件在设计上注重热稳定性和长期可靠性，能够在较宽的环境温度范围内稳定运行，适合工业级和消费级应用场景。
类型：NPN
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
集电极-基极击穿电压（VCBO）：70V
发射极-基极击穿电压（VEBO）：4V
集电极连续电流（IC）：150mA
峰值集电极电流（ICM）：300mA
直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件：VCE = 6V, IC = 5mA）
过渡频率（fT）：8GHz
最大功耗（PD）：150mW
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：S-Mini（超小型表面贴装封装）
2SC4483-AN晶体管具备出色的高频性能，其过渡频率（fT）高达8GHz，使其非常适合用于高频小信号放大应用，如射频前端模块、无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）以及高速开关电路。该器件在低电流工作状态下仍能保持较高的电流增益，典型hFE值在70至700之间，可根据不同批次和应用需求选择合适的增益档位，确保电路设计的灵活性与稳定性。这种宽泛的增益范围有助于在批量生产中实现更好的匹配与一致性。
该晶体管的S-Mini封装具有极小的尺寸和较低的寄生参数，有效减少了高频信号传输过程中的损耗和失真，同时提升了PCB布局的紧凑性，特别适用于智能手机、无线模块、蓝牙设备和Wi-Fi模块等空间受限的应用场景。封装还具备良好的热传导性能，在正常工作条件下能够有效散热，避免因局部过热导致性能下降或器件损坏。
2SC4483-AN的击穿电压适中，VCEO为50V，适合在低电压电源系统（如3.3V或5V供电）中使用，既能保证安全裕量，又不会因过高耐压带来不必要的性能折损。其低输入和输出电容特性进一步增强了在高频应用中的表现，减小了信号耦合和相位延迟问题。此外，该器件具备良好的温度稳定性，在-55℃至+150℃的结温范围内可维持可靠的电气性能，适用于严苛环境下的电子系统。
作为一款符合RoHS标准的环保型元器件，2SC4483-AN不含有铅、镉等有害物质，支持无铅焊接工艺，兼容现代回流焊制程，适用于自动化贴片生产线。其高可靠性和一致性使其成为消费类电子、工业控制和通信设备中理想的通用高频NPN三极管解决方案。
2SC4483-AN广泛应用于需要高频响应和小信号放大的电子系统中。典型应用包括无线通信设备中的射频放大器，如蓝牙模块、ZigBee收发器、Wi-Fi射频前端以及移动电话中的信号处理电路。由于其高达8GHz的过渡频率，该晶体管可用于UHF频段及部分微波频段的小信号放大，表现出良好的增益和噪声特性。
在消费类电子产品中，2SC4483-AN常用于音频前置放大器、耳机驱动电路和传感器信号调理电路，凭借其高hFE和低噪声特性，能够有效提升弱信号的信噪比。此外，它也适用于各类开关电路，如LED驱动、逻辑电平转换和脉冲信号整形电路，尤其在需要快速响应和低功耗的便携式设备中表现优异。
工业控制领域中，该器件可用于光电传感器、编码器信号放大和微弱信号检测电路。其小型化封装便于集成到紧凑型控制器或嵌入式系统中。在测试测量仪器中，2SC4483-AN可作为宽带放大链路中的增益单元，支持高频信号的精确放大与处理。总之，凡是需要高性能、小尺寸、低功耗且工作于高频环境的NPN晶体管场合，2SC4483-AN都是一个理想的选择。
MMBT3904, 2SC3356, BFR92A, 2SC4482-AN
