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64F2148ATE20H8S/2 发布时间 时间:2025/9/7 0:01:36 查看 阅读:3

64F2148ATE20H8S/2 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于其高性能、低功耗的DRAM产品系列,适用于需要高速数据访问的应用场景。其封装类型为TSOP(薄型小外形封装),具有较高的集成度和可靠性,广泛应用于网络设备、通信设备、工业控制和消费类电子产品中。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  组织结构:x16
  速度:200MHz
  电压:2.3V - 3.6V
  封装:TSOP
  引脚数:54-pin
  工作温度:-40°C 至 +85°C

特性

64F2148ATE20H8S/2 是一款高性能的DRAM芯片,具有出色的稳定性和可靠性。其高速运行能力使其非常适合用于对数据访问速度要求较高的应用。该芯片的低功耗特性使其在电池供电设备或高密度系统中表现优异。此外,该器件的TSOP封装形式不仅有助于提高系统的整体稳定性,还能有效减小PCB布局的空间需求。
  这款DRAM芯片支持自动刷新和自刷新功能,有助于降低功耗并延长数据保持时间。其宽电压范围允许在多种电源条件下稳定工作,适用于多种应用场景。64F2148ATE20H8S/2 的设计确保了其在复杂电磁环境中的稳定运行,具备良好的抗干扰能力,适合用于工业级设备和高可靠性系统。

应用

64F2148ATE20H8S/2 适用于需要快速数据存储和访问的系统,如路由器、交换机、通信基站、工业控制设备、嵌入式系统以及消费类电子产品。由于其低功耗和高稳定性的特点,该芯片也常用于便携式设备、智能卡终端和数据采集系统中。此外,它还可以作为缓存或主存储器使用,满足高速处理和实时数据处理的需求。

替代型号

64F21481E20H8S/2
  64F2148K420H8S/2

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