时间：2025/5/13 17:32:15
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EVM2NSX80BE3 是一款专为高效率功率转换应用设计的增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管模块。该器件结合了先进的 GaN 技术与优化的封装设计，能够在高频开关条件下实现低损耗和高可靠性。其主要应用于电源适配器、无线充电器、LED 驱动器以及 DC-DC 转换器等领域。
该模块内置栅极驱动保护电路，有效提升了系统的稳定性和耐用性。同时，其超小尺寸的设计使其非常适合对空间有严格要求的应用场景。
额定电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：100mΩ
栅源电压（最大）：±20V
结温范围：-40℃ 至 +150℃
封装类型：QFN-8x8
EVM2NSX80BE3 的主要特性包括：
1. 基于增强模式氮化镓（eGaN）技术，具备更高的开关频率和更低的开关损耗。
2. 内置过流保护和热关断功能，增强了系统安全性。
3. 封装形式紧凑，引脚布局经过优化以减少寄生电感的影响。
4. 支持高达 2MHz 的开关频率，适合高频 AC-DC 和 DC-DC 应用。
5. 提供业界领先的效率表现，能够显著降低能量损耗。
6. 符合 RoHS 标准，确保环保友好性。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 快速充电器和 USB-PD 充电器设计。
2. 小型高效 DC-DC 转换器。
3. 智能家居设备中的电源管理单元。
4. LED 照明驱动器。
5. 无线充电发射端及接收端功率级控制。
6. 工业设备中的辅助电源解决方案。
EVM2NSX80AE2
EVM2NSX65CE4
GAN041-650WSA
