62P65C/RAL 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道功率 MOSFET,主要用于高功率和高效率的电源管理应用。该器件采用先进的平面技术,具有低导通电阻(Rds(on))以及高电流能力,适用于电源转换器、电机驱动器、电池充电器等电路。
类型:N沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):650V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id)@25℃:180A
导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V:0.062Ω
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-247
功率耗散(Pd):320W
62P65C/RAL 具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))为 0.062Ω,这意味着在导通状态下,MOSFET 的功率损耗非常小,有助于提高整体系统的效率。此外,该器件支持高达 180A 的漏极电流,使其适用于需要高电流驱动能力的应用场景,如电机控制和电源转换。
其次,62P65C/RAL 的最大漏源电压为 650V,适用于高电压操作环境,如工业电源、不间断电源(UPS)和光伏逆变器。栅源电压范围为 ±30V,确保在不同驱动条件下都能稳定工作。此外,其 TO-247 封装提供了良好的散热性能,确保在高功率负载下仍能保持稳定运行。
62P65C/RAL 主要用于各种高功率电子设备和系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、光伏逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高电压和高电流能力,该器件也常用于需要高效能功率管理的电动汽车(EV)和储能系统中。此外,在不间断电源(UPS)和服务器电源系统中,62P65C/RAL 也广泛用于实现高效的能量转换和稳定的电源供应。
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"FQA180N65S 由 Fairchild 生产",
"IRFP4668PBF 由 Infineon 生产",
"STP180N6F7 由 STMicroelectronics 生产"
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