类型：整流桥
　　配置：单相全波整流
　　最大重复反向电压 VRRM：600 V
　　最大有效值电压 VRMS：425 V
　　最大直流阻断电压 VDC：600 V
　　平均整流电流 IO：1.0 A
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：30 A
　　最大正向压降 VF @ IF=1A：1.1 V
　　最大反向漏电流 IR @ VRRM=600V, Ta=25°C：5 μA
　　工作结温范围 TJ：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围 TSTG：-55 °C 至 +150 °C
　　恢复时间 trr：典型值 25 ns
　　封装/外壳：RSM1（表面贴装）
　　引脚数：4
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　是否无铅：是（符合 RoHS 规范）

61FXZ-RSM1-GAN-ETF(LF)(SN) 采用先进的功率半导体工艺，具备优异的电气性能与可靠性，特别针对高频整流应用进行了优化。其核心特性之一是超快恢复时间（trr 典型值仅为25ns），这使得该整流桥在高频开关电源中表现出色，能够显著降低开关损耗并减少电磁干扰（EMI），从而提高整体系统效率。由于采用了GaN增强型设计或与GaN开关器件协同优化，该器件可在硬开关和准谐振拓扑中稳定运行，适用于现代高密度电源架构。
　　该整流桥具有较低的正向导通压降（VF ≤ 1.1V at 1A），有助于降低导通损耗，提升能效，并减少散热需求。同时，其高达600V的反向耐压能力使其适用于通用输入电压范围（85–265V AC）的电源系统，兼容全球市电标准。反向漏电流极低（IR ≤ 5μA），即使在高温环境下也能保持良好的阻断性能，确保系统在恶劣工况下的稳定性。
　　RSM1封装提供优良的散热路径和机械强度，支持回流焊工艺，适合自动化生产。该封装还具备良好的爬电距离和电气隔离设计，增强了系统的安全性和抗电压冲击能力。此外，器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）使其能够在极端温度环境中可靠运行，适用于工业级和严苛环境应用。

61FXZ-RSM1-GAN-ETF(LF)(SN) 主要应用于需要高效、紧凑型整流解决方案的电源系统中。典型应用场景包括手机、笔记本电脑等设备的USB-C PD快充适配器，尤其是配合GaN功率晶体管使用的高频AC-DC转换器。它也广泛用于LED照明驱动电源，特别是在空间受限但要求高光效和长寿命的灯具设计中。此外，该器件适用于小型开关模式电源（SMPS），如家电控制板辅助电源、智能家居设备电源模块以及工业传感器供电单元。
　　在通信设备中，该整流桥可用于PoE（以太网供电）系统的前端整流电路，提供稳定可靠的直流输入。其快速恢复特性对于防止反向能量回馈至变压器或电感至关重要，有助于提升电源环路稳定性。在消费类电子产品如电视、音响、路由器等内置电源中，该器件可作为桥式整流环节的核心元件，替代传统慢速整流桥，实现更高效率和更低温升。
　　由于其表面贴装封装形式，该器件非常适合高度自动化的SMT生产线，提升了制造效率与产品一致性。在便携式医疗设备、移动电源管理单元以及电池充电管理系统中，该整流桥也发挥着关键作用，保障电能转换过程的安全与高效。总体而言，任何需要小型化、高效率、高可靠性的交流转直流整流场合，都是该器件的理想选择。

GBJ608