类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：680V
　　漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-263（具体以实际型号后缀为准）

KF12N68F-U/PS 是一款性能优异的高压MOSFET器件，其主要特性包括高击穿电压（680V），能够承受较高的电压应力，适用于高压开关应用。该器件的导通电阻较低，通常在0.45Ω左右，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，KF12N68F-U/PS 采用了先进的平面工艺技术，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
　　该MOSFET具备较强的过载能力和抗冲击能力，适用于各种电力电子变换器，如AC-DC电源适配器、LED驱动电源、电机驱动电路以及光伏逆变器等。其TO-220或TO-263封装形式具有良好的散热性能，适用于多种PCB安装方式，方便设计和维护。
　　在驱动特性方面，KF12N68F-U/PS 的栅极电荷较低，能够实现快速开关动作，适用于高频开关应用。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容常见的驱动电路设计，便于与PWM控制器配合使用。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和成本之间取得了良好的平衡，是工业电源和消费类电子设备中的常用器件。

KF12N68F-U/PS 主要用于各类开关电源系统中，包括AC-DC电源适配器、LED驱动电源、电机控制电路、逆变器、DC-DC转换器以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高耐压和低导通电阻特性，特别适合用于需要高效能和高稳定性的电源系统。

FQPF12N68C、IRFGB40N68CPBF、SGH12N68U1-E3-A、KF15N68F-U/PS