容量：64MB
　　组织结构：8M x 8
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　访问时间：5.4ns
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　数据宽度：8位
　　引脚数：54

HY57V64820HGT-6 SDRAM 芯片具备多项高性能特性，适合在高速系统中使用。该芯片支持同步操作，其读写操作由系统时钟控制，从而提高了数据传输的稳定性和效率。其工作电压为3.3V，能够在较低功耗下运行，同时保持较高的性能水平。
　　这款DRAM芯片的访问时间为5.4ns，支持高达166MHz的时钟频率，确保了快速的数据存取能力。此外，其数据宽度为8位，适合用于需要快速数据处理的系统中，如高速缓存、帧缓冲器和数据存储缓冲区等应用。
　　采用TSOP封装技术，使得该芯片具有较小的体积和较低的引脚电感，适合在高密度PCB布局中使用。其工业级工作温度范围（-40°C ~ +85°C）也确保了在各种环境条件下都能稳定运行。
　　HY57V64820HGT-6 还具备自动刷新和自刷新功能，能够在保持数据完整性的同时降低功耗，适用于需要长时间运行且对可靠性要求较高的系统。

HY57V64820HGT-6 SDRAM芯片广泛应用于各类嵌入式系统和工业设备中，如网络路由器、交换机、打印机、视频采集与处理设备、工业控制设备以及多媒体播放器等。由于其高速数据存取能力和稳定性，该芯片也适用于图像处理、图形缓冲和实时数据处理等对性能要求较高的场景。此外，它还可用于老款的消费类电子产品、测试设备以及通信模块中，作为主存或高速缓存使用。

IS42S16800B-6TL, MT48LC16M16A2B4-6A, KM681000HGB-6