K2927 时间：2025/9/7 8:41:42 阅读：28

K2927是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及功率放大器等高功率电子设备中。该器件采用高密度技术制造，具有低导通电阻、高效率和优良的热性能，适用于需要高电流承载能力的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A
　　功耗(Pd)：200W
　　导通电阻(Rds(on))：约2.5mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

K2927的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件具有较高的电流承载能力，可支持高达120A的连续漏极电流，适合高功率应用。此外，其200W的高功耗设计使其能够在高负载条件下稳定运行。K2927还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至175°C的温度范围内工作，适应严苛的工业环境。其封装设计优化了散热性能，有助于提高器件的可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，从而提高了其在不同驱动电路中的兼容性。K2927的开关特性优异，具有快速的开启和关闭响应时间，降低了开关损耗，使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。此外，其低门电荷（Qg）进一步提升了其在高速开关应用中的性能。

应用

K2927常用于电源管理领域，特别是在高功率开关电源、DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路中发挥重要作用。它也被广泛应用于电池管理系统、UPS不间断电源、光伏逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，由于其高可靠性和热稳定性，K2927也可用于汽车电子系统，如车载充电器和电动工具驱动电路。在音频放大器设计中，该器件的低导通电阻和快速响应特性也有助于提升音质表现。