时间：2025/8/2 7:45:33
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AM2358N-T1-PF 是一款由 Advanced Monolithic Devices Inc. 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。AM2358N-T1-PF 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关性能和导通损耗，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等应用。该器件采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和 PCB 安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：80A（Tc=25℃）
导通电阻 Rds(on)：≤3.5mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散：100W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
AM2358N-T1-PF 具备多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在高电流工作条件下，导通损耗显著降低，从而提高电源转换效率。
其次，该 MOSFET 支持高达 80A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景，如高效率 DC-DC 转换器和同步整流电路。
此外，其高耐压能力（30V Vds）确保了在高压瞬态条件下仍能保持稳定工作，提升了系统的可靠性和耐用性。
该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长使用寿命。
同时，其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
AM2358N-T1-PF 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，适用于各种高应力开关环境。
AM2358N-T1-PF 广泛应用于多个高功率电子系统中。其主要应用包括高效率 DC-DC 转换器，用于电信设备、服务器电源和工业电源系统。
该器件也适用于同步整流器，可显著提高 AC-DC 电源转换器的效率，尤其适用于笔记本电脑、平板电脑等便携设备的电源管理模块。
此外，它还可用于电池管理系统（BMS），作为高电流开关元件，实现对电池充放电的精确控制。
由于其高耐压和大电流能力，AM2358N-T1-PF 也常用于电机驱动电路、负载开关和功率分配系统中。
在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，该 MOSFET 可作为关键功率开关元件，提供高可靠性和高效率的性能支持。
SiS430DN, IRF1324S-7PPBF, IPD90N03S4-07
