时间：2025/12/26 23:33:34
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60R075XPR是一款由安森美（onsemi）推出的高性能碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，专为高效率、高频率的电力电子应用设计。该器件采用先进的SiC材料技术，相较于传统的硅基MOSFET，在导通电阻、开关损耗和热性能方面具有显著优势。60R075XPR的额定电压为650V，典型导通电阻（RDS(on)）为75mΩ，能够支持在高温、高电压环境下稳定运行。其封装形式为D2PAK（TO-263），便于散热管理与PCB布局，适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统及服务器电源等高功率密度场景。
该器件利用SiC宽禁带半导体特性，能够在更高的开关频率下工作，从而减小磁性元件和电容的体积，提升系统整体功率密度。同时，60R075XPR具备优良的反向恢复特性，可有效降低桥式电路中的开关应力，提高系统效率并减少电磁干扰（EMI）。此外，该器件还具备良好的长期可靠性与抗浪涌能力，符合AEC-Q101车规级认证要求，适合在严苛环境中使用。
型号：60R075XPR
制造商：onsemi
器件类型：SiC MOSFET
漏源电压（VDS）：650 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）@25°C：48 A
脉冲漏极电流（IDM）：192 A
导通电阻 RDS(on) @25°C：75 mΩ
导通电阻 RDS(on) @150°C：110 mΩ
栅极电荷（Qg）：105 nC
输入电容（Ciss）：5000 pF
输出电容（Coss）：1200 pF
反向恢复电荷（Qrr）：0 C
最大工作结温：175 °C
封装类型：D2PAK (TO-263)
60R075XPR基于碳化硅（SiC）材料平台构建，展现出卓越的电气与热性能表现。其核心优势在于低导通电阻与高开关速度的结合，使得在高频开关应用中能大幅降低传导与开关损耗，提升系统整体能效。由于SiC材料的电子迁移率高、临界击穿电场强，该器件可在650V电压等级下实现比同类硅MOSFET更低的比导通电阻（RDS(on) × Area），从而减小芯片尺寸并提高功率密度。在实际应用中，这意味着更少的并联需求与更紧凑的热设计。
该器件具备极低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于缩短开关时间，降低驱动损耗，并在硬开关拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振转换器中发挥出色性能。更重要的是，60R075XPR没有体二极管反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这在桥式电路中极大减少了交叉导通期间的电流尖峰与EMI噪声，提升了系统可靠性与稳定性。这一特性特别适用于高频软开关拓扑结构，避免了传统硅器件因反向恢复带来的额外功耗问题。
在热管理方面，60R075XPR能够在高达175°C的结温下持续工作，表现出优异的高温稳定性。其正温度系数的RDS(on)特性有利于多管并联时的电流均衡，增强了系统的可扩展性与鲁棒性。D2PAK封装经过优化设计，具备良好的热阻特性（RθJC），可通过PCB铜层或散热器高效导出热量。此外，该器件对dv/dt和di/dt具有较强的耐受能力，配合适当的栅极驱动设计，可在恶劣电磁环境中稳定运行。所有这些特性共同使60R075XPR成为下一代高效率电源系统的关键组件。
60R075XPR广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力转换系统。典型应用场景包括：工业级开关电源（SMPS）、数据中心服务器电源单元（PSU）、通信基站电源模块、光伏（PV）太阳能逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车车载充电机（OBC）以及直流快速充电桩。在图腾柱无桥PFC（Totem-Pole PFC）电路中，60R075XPR凭借其零反向恢复特性与低RDS(on)，可显著提升功率因数校正级的效率，达到99%以上的转换效率。在LLC或混合反激拓扑中，该器件可用于主开关管，以实现ZVS（零电压开关）操作，进一步降低开关损耗。
此外，该器件也适用于电机驱动系统中的高端开关，特别是在高温环境下工作的工业电机控制与电动工具中。由于其符合AEC-Q101标准，60R075XPR也被用于汽车级电源系统，如DC-DC转换器与辅助电源模块。在新能源领域，该器件有助于缩小系统体积、提升能量利用率，满足现代绿色能源设备对高效、节能、小型化的综合需求。随着碳化硅技术的普及，60R075XPR正逐步替代传统超结MOSFET，在中高功率应用中占据主导地位。
SCT3045KL
