M48T08-100 时间：2025/7/23 20:41:22 阅读：13

M48T08-100 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM），具有高速访问能力和断电数据保持功能。该芯片集成了一个内置的锂离子电池，可以在主电源断开时保持数据的完整性，广泛应用于需要高可靠性和断电数据保护的系统中。

参数

制造商：STMicroelectronics
　　产品类型：NVSRAM（非易失性SRAM）
　　存储容量：8 Mbit（1M x 8）
　　电源电压：5V
　　访问时间：100 ns
　　封装类型：32引脚 DIP
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　电池类型：内置锂离子电池
　　写保护功能：硬件写保护引脚
　　接口类型：并行

特性

M48T08-100 的核心特性在于其非易失性存储能力。该芯片在正常工作状态下表现得像标准的静态随机存取存储器（SRAM），具有快速读写速度和高可靠性。当主电源失效或被移除时，芯片会自动切换到内置的锂电池供电，从而保持存储器中的数据不丢失。这种机制消除了传统SRAM在断电后数据丢失的问题，无需外部电池或电源管理电路。
　　此外，M48T08-100 提供了硬件写保护功能，防止在断电或低电压条件下意外写入数据，确保数据完整性。其高速访问时间为100纳秒，使其适用于需要快速响应的实时系统。芯片采用32引脚 DIP 封装，适合插拔式安装和工业级应用。该芯片还具有低功耗待机模式，进一步延长电池寿命。

应用

M48T08-100 被广泛应用于需要可靠数据存储和断电保护的工业控制系统、医疗设备、仪表和通信设备。例如，在网络设备中，它可用于保存关键的配置信息；在工厂自动化系统中，可用于存储实时数据和事件记录；在POS终端和ATM机中，可用于保持交易日志等重要信息。此外，该芯片也适用于需要长时间数据保留的嵌入式系统。