时间：2025/5/22 13:41:51
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5SGSMD5K2F40I4N 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET功率晶体管，主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了TO-263-4L封装形式，具备低导通电阻、高耐压和快速开关的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
这款MOSFET为N沟道增强型器件，适合在高频和高效率要求的电路中使用，同时具有良好的热性能和电气性能。
型号：5SGSMD5K2F40I4N
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-263-4L
最大漏源电压Vds：500V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：4A
导通电阻Rds(on)：1.8Ω（在Vgs=10V时）
功耗Pd：140W
工作温度范围：-55℃至+150℃
5SGSMD5K2F40I4N具有以下主要特性：
1. 高击穿电压，可承受高达500V的漏源电压，适用于高压环境。
2. 低导通电阻，在典型工作条件下仅为1.8Ω，从而降低了传导损耗。
3. 快速开关能力，有助于提高效率并减少电磁干扰（EMI）。
4. 热稳定性好，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. TO-263-4L封装提供了出色的散热性能和易于安装的特点。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5SGSMD5K2F40I4N适用于多种功率电子应用领域：
1. 开关电源（SMPS），如AC/DC转换器和DC/DC转换器。
2. 电机驱动控制，包括步进电机、直流无刷电机等。
3. 工业逆变器和变频器。
4. LED照明驱动电路。
5. 充电器和适配器设计。
6. 各类需要高效能开关元件的工业与消费电子产品。
5SGSMD5K2F40I2N, IRF840, STP50NF06
