BZX84C33LT1G
时间:2022/12/29 15:24:07
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齐纳击穿电压Vz最小值(V):31
齐纳击穿电压Vz典型值(V):33
齐纳击穿电压Vz最大值(V):35
概述
齐纳击穿电压Vz最小值(V):31
齐纳击穿电压Vz典型值(V):33
齐纳击穿电压Vz最大值(V):35
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):80
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:Y12
封装/温度(℃):SOT-23/-65~150
BZX84C33LT1G推荐供应商
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- BZX84C33LT1G
- 深圳华美锐科技有限公司
- 8030
- ON Semiconductor
- 11.03.2011/-
-
BZX84C33LT1G参数
- 标准包装10
- 类别分离式半导体产品
- 家庭单二极管/齐纳
- 系列-
- 电压 - 齐纳(标称)(Vz)33V
- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
- 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 23.1V
- 容差±6%
- 功率 - 最大225mW
- 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
- 包装Digi-Reel®
- 工作温度-
- 其它名称BZX84C33LT1GOSDKR