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GA1812A121FBBAT31G 发布时间 时间:2025/7/1 6:43:26 查看 阅读:6

GA1812A121FBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频率开关电源和电机驱动领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功耗并提高系统效率。
  这款器件具有出色的热性能和电气性能,适用于各种工业和消费类电子产品中的功率转换和负载控制场景。

参数

型号:GA1812A121FBBAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ @ Vgs=10V
  总栅极电荷(Qg):39nC
  输入电容(Ciss):2250pF
  反向恢复时间(trr):80ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1812A121FBBAT31G 具备以下突出特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷(Qg),有助于降低开关损耗。
  3. 高额定电流能力(45A),适合大功率应用场合。
  4. 小型化封装设计(TO-252/DPAK),节省电路板空间。
  5. 宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),确保在极端环境下的稳定运行。
  6. 出色的热稳定性,有助于延长器件寿命。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

GA1812A121FBBAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制。
  3. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器。
  4. 汽车电子系统:例如电动助力转向(EPS)、制动系统和车载充电器。
  5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
  6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。

替代型号

GA1812A121FB, IRF3205, AO3400

GA1812A121FBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-