GA1812A121FBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频率开关电源和电机驱动领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功耗并提高系统效率。
这款器件具有出色的热性能和电气性能,适用于各种工业和消费类电子产品中的功率转换和负载控制场景。
型号:GA1812A121FBBAT31G
类型:N-Channel MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅极源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ @ Vgs=10V
总栅极电荷(Qg):39nC
输入电容(Ciss):2250pF
反向恢复时间(trr):80ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
GA1812A121FBBAT31G 具备以下突出特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷(Qg),有助于降低开关损耗。
3. 高额定电流能力(45A),适合大功率应用场合。
4. 小型化封装设计(TO-252/DPAK),节省电路板空间。
5. 宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),确保在极端环境下的稳定运行。
6. 出色的热稳定性,有助于延长器件寿命。
7. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
GA1812A121FBBAT31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制。
3. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器。
4. 汽车电子系统:例如电动助力转向(EPS)、制动系统和车载充电器。
5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
6. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。
GA1812A121FB, IRF3205, AO3400