类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：5 A
　　最大耗散功率（Ptot）：40 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

5P0680C 功率 MOSFET 的核心特性在于其高耐压和高电流处理能力。这款器件的漏源电压可达 600 V，使其适用于高电压操作环境，同时具备 5 A 的连续漏极电流能力，确保其在高负载条件下也能稳定工作。
　　此外，5P0680C 的最大耗散功率为 40 W，这意味着它能够在较高的功率条件下运行而不会出现热失效问题。这种 MOSFET 的封装形式为 TO-220，具有良好的热管理和机械稳定性，便于在电路板上安装和散热。
　　该器件的栅源电压范围为 ±20 V，使其在不同的驱动条件下都具有良好的稳定性，同时确保了器件在高电压开关应用中的可靠性。5P0680C 还具备快速开关特性，适合用于高频操作，从而提高了整体系统的效率和响应速度。
　　由于其优异的电气特性和可靠性，5P0680C 在工业控制、消费电子和汽车电子等领域中得到了广泛应用。

5P0680C 主要用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。常见应用包括 AC-DC 电源适配器、DC-DC 转换器、无刷直流电机控制、LED 驱动器以及工业自动化设备中的开关电路。
　　在电源适配器中，5P0680C 作为主开关元件，负责将高压交流电转换为稳定的低压直流输出。在 DC-DC 转换器中，该器件用于高效能的电压调节和能量传输。此外，该 MOSFET 还适用于马达控制应用，提供快速响应和高效率的电力控制。
　　在汽车电子领域，5P0680C 可用于车载充电系统、电池管理系统和车载娱乐设备中的电源管理模块。由于其高可靠性和宽温度范围，该器件也适用于恶劣环境下的工业控制系统。

IRF840, FQP6N60C, STP5NK60Z