时间：2025/8/24 23:07:28
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F5N80是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。F5N80通常封装在TO-220或DPAK等常见封装中，方便在各种电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：8A
漏极-源极电压（VDS）：800V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on))：1.2Ω（最大值）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
F5N80的主要特性之一是其高耐压能力，漏极-源极电压可达800V，使其适用于高电压应用环境。该器件的低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，F5N80具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其快速开关特性也使其适合用于高频开关电路。F5N80还具有过热保护和短路保护功能，增强了系统的可靠性。
F5N80常用于开关电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机控制电路、负载开关以及各种工业自动化设备中。由于其高电压耐受能力和良好的导通特性，F5N80也适合用于LED照明驱动电路和电池管理系统。
FQA8N80C, IRF840, FDPF8N80
