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SMA2EZ15D5 发布时间 时间:2025/5/26 17:37:37 查看 阅读:11

SMA2EZ15D5是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效能功率晶体管,主要用于射频(RF)放大器和功率转换应用。该器件采用行业领先的封装技术,确保了出色的热性能和电气特性。其工作频率范围广泛,适用于通信、雷达和其他高频应用场景。
  该型号属于Cree/Wolfspeed公司的产品系列,专为高功率密度和高效率设计。通过优化栅极驱动和输出匹配网络,可以实现卓越的增益和线性度表现。

参数

最大漏源电压:100V
  最大漏极电流:30A
  击穿电压:150V
  导通电阻:15mΩ
  热阻(结到壳):0.2°C/W
  工作频率范围:DC至1GHz
  输出功率:大于10W
  效率:高达85%

特性

SMA2EZ15D5具有以下主要特性:
  1. 高效的氮化镓(GaN)HEMT结构,提供卓越的功率密度。
  2. 支持高频操作,适合现代通信系统的严格要求。
  3. 内置静电保护(ESD)功能,增强可靠性。
  4. 低寄生电感和电容,改善开关速度和动态性能。
  5. 紧凑型SMA封装,简化系统集成并降低热管理难度。
  6. 宽禁带半导体材料带来更高的耐压能力和更低的功耗。
  此外,这款晶体管在高温环境下依然能够保持稳定的性能表现,非常适合对环境适应能力有较高需求的应用场景。

应用

SMA2EZ15D5被广泛应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器,如基站、卫星通信和无线数据链路。
  2. 能量转换设备,例如DC-DC转换器和逆变器。
  3. 工业激光器和等离子体发生器的电源驱动。
  4. 医疗成像设备中的脉冲电源模块。
  5. 雷达系统中的固态发射机组件。
  由于其高性能和可靠性,该器件特别适合需要高效率和快速响应时间的关键任务应用。

替代型号

SMA2EZ10D5
  SMA2EZ20D5

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