类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值7.0Ω（最大值9.0Ω）@ Vgs=10V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：0.3A（TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：1.2A
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：约22pF
　　输出电容（Coss）：约11pF
　　反向传输电容（Crss）：约1.2pF
　　开启延迟时间（td(on)）：约12ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约45ns
　　封装形式：PG-SOT323（SOT-323）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

5N65G-TN3-R的核心优势在于其高耐压与小封装尺寸的结合，使其成为许多高压低电流开关应用的理想选择。该MOSFET基于ON Semiconductor成熟的高压沟槽技术制造，确保了在650V高电压环境下仍能保持稳定的电气性能和较低的漏电流。其导通电阻在同类小封装器件中处于领先水平，Rds(on)最大仅为9.0Ω（测试条件Vgs=10V），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。此外，该器件具备良好的热性能，尽管封装体积小，但通过优化的芯片布局和封装材料，实现了较高的热传导效率，从而保证在持续负载下仍能维持较低的工作温度。
　　该MOSFET的开关速度经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），使得在高频开关应用中能够快速响应驱动信号，减少开关过渡时间，降低动态损耗。这对于诸如开关电源、LED驱动电源、DC-DC转换器等高频工作场景尤为重要。同时，其输入电容和输出电容较小，减少了驱动电路的负担，提高了系统的响应速度和稳定性。
　　5N65G-TN3-R还具备出色的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，增强了器件在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性。器件的栅极阈值电压通常在2.0V至4.0V之间，使其能够被常见的3.3V或5V逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。此外，该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，适用于对可靠性和寿命要求较高的工业与汽车电子应用。其无卤素和符合RoHS的环保特性也满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

5N65G-TN3-R广泛应用于需要高压开关能力的小功率电源系统中。常见用途包括离线式开关电源（SMPS）中的初级侧开关元件，尤其是在反激式（Flyback）拓扑结构中作为主控开关管使用。由于其650V的耐压能力，能够适应全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC），非常适合用于手机充电器、小型适配器、机顶盒电源模块等消费类电子产品。
　　此外，该器件也常用于LED照明驱动电源中，特别是在隔离式恒流驱动方案中，承担能量传递和电压调节的关键角色。其小尺寸封装有利于灯具内部紧凑布局，同时高效率特性有助于提高光效并降低发热。
　　在工业控制领域，5N65G-TN3-R可用于继电器驱动、电磁阀控制、传感器供电模块等高压信号切换场合。其高可靠性也使其适用于部分汽车电子系统，如车载充电器、车灯驱动模块等。此外，在电机控制、逆变器、UPS不间断电源等设备中，也可作为辅助电源或偏置电源的开关元件使用。由于其表面贴装封装，便于自动化生产，适合大规模贴片组装工艺，提升了生产效率和产品一致性。

FQP6N65/STP6N65FD/STP6NK65Z/2SK3569