型号：5HN01C
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：PowerPAK SC-70
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：3.4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：13A
　　导通电阻(RDS(on))：12mΩ @ VGS = 4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：15mΩ @ VGS = 2.5V
　　阈值电压(VGS(th))：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：330pF @ VDS = 10V
　　输出电容(Coss)：120pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间(trr)：9ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻(Junction-to-Ambient, RθJA)：250°C/W
　　热阻(Junction-to-Case, RθJC)：60°C/W

5HN01C采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的制造工艺显著降低了器件的导通电阻，同时优化了栅极电荷和输出电容，从而实现了卓越的开关性能。其低RDS(on)特性意味着在导通状态下产生的热量更少，有助于提高系统的整体效率并减少散热设计的复杂性。该器件在VGS为4.5V时RDS(on)仅为12mΩ，在低至2.5V的栅极驱动电压下仍能保持15mΩ的低导通电阻，这使其非常适合于由锂离子电池直接供电的应用，例如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。
　　TrenchFET结构还带来了更小的芯片尺寸和更高的单位面积电流密度，使得5HN01C能够在微型SC-70封装中实现高性能表现。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这有助于减少开关损耗，提升高频开关应用中的能效。其输入电容仅为330pF，输出电荷低至1.2nC，这些参数对于设计高效DC-DC变换器至关重要，尤其是在同步整流拓扑中作为低边或高边开关使用时。
　　5HN01C具备良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大结温可达150°C，配合合理的PCB布局和散热设计，可确保长时间可靠运行。器件还具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度，增强了在瞬态负载变化或短路情况下的鲁棒性。此外，该MOSFET的阈值电压范围适中（0.6V~1.0V），既能保证足够的噪声裕量，又能在低电压控制信号下快速开启，适用于逻辑电平驱动场合。综合来看，5HN01C是一款集低导通损耗、快速开关响应和紧凑封装于一体的高性能N沟道MOSFET，特别适合对效率和空间有严格要求的现代电源管理系统。

5HN01C广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电池管理与负载开关，如智能手机、智能手表、无线耳机等设备中的电源路径控制和过流保护电路。由于其低导通电阻和微小封装，它常被用于替代机械开关或传统双极型晶体管，以实现更低的静态功耗和更高的集成度。
　　在电源转换领域，5HN01C适用于同步降压（Buck）转换器和升压（Boost）转换器中的低侧或高侧开关元件，尤其在多相VRM（电压调节模块）和POL（点负载）电源设计中表现出色。其快速的开关速度和低栅极驱动需求使其成为DC-DC模块的理想选择，可用于为处理器、FPGA、ASIC等数字芯片提供稳定的供电。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为开关元件，能够有效减少发热并提升响应速度。在LED驱动电路中，5HN01C可用于恒流控制或PWM调光开关，凭借其低RDS(on)和快速响应能力，可提高亮度控制精度和能效。
　　工业应用方面，5HN01C可用于传感器模块、手持仪器仪表和远程监控设备中的电源切换和节能控制。其宽泛的工作温度范围和高可靠性也使其适用于汽车电子中的非动力总成系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和车灯驱动等。总之，凡是需要小尺寸、高效率N沟道MOSFET的低压大电流开关场合，5HN01C都是一个极具竞争力的选择。

SI2301-C-E3
　　AO3400
　　DMG2301U
　　FDC630N