IPW65R019C7 时间：2025/4/28 12:42:18 阅读：2

IPW65R019C7 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的功率 MOSFET，采用 TRENCHSTOP? 技术制造。该器件属于 OptiMOS? 系列，具有出色的开关性能和低导通电阻特性，专为高频开关应用设计，如 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器等。其封装形式为 DPAK（TO-252），便于表面贴装，适用于高功率密度设计。

参数

最大漏源电压：650V
　　导通电阻：19mΩ（典型值，@ VGS=10V）
　　连续漏极电流：34A（@ Tc=25°C），18A（@ Tc=100°C）
　　栅极电荷：46nC（典型值）
　　总电容：2250pF
　　功耗：35W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IPW65R019C7 使用先进的沟槽式 MOSFET 结构，显著降低了导通电阻和开关损耗。
　　该器件支持快速开关操作，栅极电荷较小，有助于提高系统效率。
　　其热阻较低，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定性。
　　通过优化的 RDS(on) 和 Qg 参数平衡，IPW65R019C7 在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。
　　此外，该产品符合 RoHS 标准，环保且可靠性高，适合工业和汽车领域应用。

应用

IPW65R019C7 广泛应用于多种功率转换场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 太阳能逆变器中的功率级模块。
　　3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及牵引逆变器。
　　4. 工业电机驱动和伺服控制器。
　　5. UPS（不间断电源）系统中的功率开关元件。
　　6. LED 驱动器和其他高效能功率管理电路。