时间：2025/12/28 21:13:01
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5DLC50M04 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高功率密度的开关电路中。这款器件采用先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和电池充电器等应用场景。该器件采用 DPAK（TO-252）封装，便于安装和散热。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大漏极电流（Id）：50A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 4mΩ（在 Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：典型值 72nC
最大功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
5DLC50M04 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力和优异的热稳定性，使其在高功率应用中表现出色。此外，5DLC50M04 采用先进的封装技术，提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下也能保持稳定运行。该器件的栅极驱动设计优化，减少了开关损耗，并提高了抗干扰能力。最后，5DLC50M04 的耐用性和可靠性使其适用于各种严苛环境下的工业和汽车应用。
5DLC50M04 主要用于需要高效率和高功率处理能力的电路中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理和负载开关等。由于其优异的电气性能和热稳定性，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器。此外，5DLC50M04 还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和储能系统等应用。
STP55NF06, IRFZ44N, FDP50N06
