时间：2025/5/30 18:16:36
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MST3367CMK-LF-170是一款高性能的功率MOSFET器件，采用N沟道增强型技术设计。该器件主要适用于高效率、高频开关应用场合。它具有较低的导通电阻和快速开关特性，能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
该芯片采用了LFPAK封装形式，这种封装具备出色的散热性能以及低寄生电感特点，非常适合用于空间受限的应用场景。MST3367CMK-LF-170在消费电子、工业控制以及汽车电子等领域有着广泛的应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：29nC
总电容：1650pF
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
2. 快速开关速度，支持高频工作模式。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小型化封装设计，节省PCB板空间。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 支持大电流操作，适应多种负载需求。
7. 具有优异的热稳定性和可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 汽车电子系统的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED驱动器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
MST3367CKG-LF-170, IRF7843TRPBF, AO6608
