5CEFA4F23C8N 是一款高性能的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,提供卓越的数据保持能力和稳定性,适合在工业、通信和消费类电子产品中使用。
该器件具有快速读写周期、高可靠性以及多种工作模式支持的特点,可满足现代电子系统对内存性能的严格要求。
类型:SRAM
容量:512K x 8 bits
核心电压:1.7V 至 3.6V
接口:同步
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TQFP-48
数据访问时间:10ns
功耗:待机模式下 < 1μW
5CEFA4F23C8N 的主要特性包括:
1. 快速数据访问能力,能够实现高达 10ns 的存取时间。
2. 支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和备用模式,从而延长电池供电设备的工作时间。
3. 高可靠性设计,确保在极端温度条件下的稳定运行。
4. 内置自动刷新功能,减少外部控制器的负担。
5. 强大的抗电磁干扰能力,适用于复杂的电磁环境。
6. 提供全面的错误检测机制,包括奇偶校验和循环冗余校验(CRC)。
7. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到绿色产品设计中。
5CEFA4F23C8N 广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化控制系统的缓存存储。
2. 通信设备中的临时数据缓冲。
3. 医疗设备中的高速数据记录与处理。
4. 消费类电子产品如数码相机、打印机和游戏机中的临时数据存储。
5. 嵌入式系统中的程序代码或配置数据暂存。
6. 物联网设备中的快速数据交换缓存。
7. 数据采集系统中的高速采样数据暂存。
CY7C1041DV33, IS61LV25616, AS6C1024