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5CEFA4F23C8N 发布时间 时间:2025/6/3 21:27:00 查看 阅读:5

5CEFA4F23C8N 是一款高性能的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,提供卓越的数据保持能力和稳定性,适合在工业、通信和消费类电子产品中使用。
  该器件具有快速读写周期、高可靠性以及多种工作模式支持的特点,可满足现代电子系统对内存性能的严格要求。

参数

类型:SRAM
  容量:512K x 8 bits
  核心电压:1.7V 至 3.6V
  接口:同步
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TQFP-48
  数据访问时间:10ns
  功耗:待机模式下 < 1μW

特性

5CEFA4F23C8N 的主要特性包括:
  1. 快速数据访问能力,能够实现高达 10ns 的存取时间。
  2. 支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和备用模式,从而延长电池供电设备的工作时间。
  3. 高可靠性设计,确保在极端温度条件下的稳定运行。
  4. 内置自动刷新功能,减少外部控制器的负担。
  5. 强大的抗电磁干扰能力,适用于复杂的电磁环境。
  6. 提供全面的错误检测机制,包括奇偶校验和循环冗余校验(CRC)。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到绿色产品设计中。

应用

5CEFA4F23C8N 广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化控制系统的缓存存储。
  2. 通信设备中的临时数据缓冲。
  3. 医疗设备中的高速数据记录与处理。
  4. 消费类电子产品如数码相机、打印机和游戏机中的临时数据存储。
  5. 嵌入式系统中的程序代码或配置数据暂存。
  6. 物联网设备中的快速数据交换缓存。
  7. 数据采集系统中的高速采样数据暂存。

替代型号

CY7C1041DV33, IS61LV25616, AS6C1024

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5CEFA4F23C8N参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥690.21000托盘
  • 系列Cyclone? V E
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • LAB/CLB 数18480
  • 逻辑元件/单元数49000
  • 总 RAM 位数3464192
  • I/O 数224
  • 栅极数-
  • 电压 - 供电1.07V ~ 1.13V
  • 安装类型表面贴装型
  • 工作温度0°C ~ 85°C(TJ)
  • 封装/外壳484-BGA
  • 供应商器件封装484-FBGA(23x23)