时间：2025/6/3 21:27:00
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5CEFA4F23C8N 是一款高性能的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，提供卓越的数据保持能力和稳定性，适合在工业、通信和消费类电子产品中使用。
该器件具有快速读写周期、高可靠性以及多种工作模式支持的特点，可满足现代电子系统对内存性能的严格要求。
类型：SRAM
容量：512K x 8 bits
核心电压：1.7V 至 3.6V
接口：同步
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TQFP-48
数据访问时间：10ns
功耗：待机模式下 < 1μW
5CEFA4F23C8N 的主要特性包括：
1. 快速数据访问能力，能够实现高达 10ns 的存取时间。
2. 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和备用模式，从而延长电池供电设备的工作时间。
3. 高可靠性设计，确保在极端温度条件下的稳定运行。
4. 内置自动刷新功能，减少外部控制器的负担。
5. 强大的抗电磁干扰能力，适用于复杂的电磁环境。
6. 提供全面的错误检测机制，包括奇偶校验和循环冗余校验（CRC）。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到绿色产品设计中。
5CEFA4F23C8N 广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化控制系统的缓存存储。
2. 通信设备中的临时数据缓冲。
3. 医疗设备中的高速数据记录与处理。
4. 消费类电子产品如数码相机、打印机和游戏机中的临时数据存储。
5. 嵌入式系统中的程序代码或配置数据暂存。
6. 物联网设备中的快速数据交换缓存。
7. 数据采集系统中的高速采样数据暂存。
CY7C1041DV33, IS61LV25616, AS6C1024
