5CEBA7F23C8N 时间：2025/5/26 12:10:17 阅读：19

5CEBA7F23C8N 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提高系统的效率和可靠性。
　　其封装形式为 TO-252（DPAK），支持表面贴装技术，适合高密度集成设计。

参数

型号：5CEBA7F23C8N
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　工作电压：30V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　栅极电荷：19nC（最大值）
　　开关时间：t_on=15ns，t_off=12ns
　　结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

5CEBA7F23C8N 的主要特点是低导通电阻和高开关速度，这使得它非常适合于高频开关应用。此外，其出色的热性能确保了在高功率条件下仍能保持稳定运行。
　　具体特性包括：
　　- 低导通电阻：有助于降低功耗，提高系统效率。
　　- 高开关速度：减少开关损耗，适用于高频应用场景。
　　- 优异的热性能：能够在高温环境下长时间稳定运行。
　　- 小型化封装：占用PCB空间少，适合高密度设计。
　　- 高可靠性：通过严格的测试和验证流程，保证在各种环境下的稳定性。

应用

这款芯片广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要高效功率转换的场合。其典型应用领域包括：
　　- 开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器、反激式变换器等。
　　- 电机驱动：控制小型直流电机或步进电机。
　　- 电池管理系统：实现电池充放电保护和负载切换。
　　- 汽车电子：如车载充电器、LED驱动等。
　　- 工业自动化：用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动等设备。