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5CEBA7F23C8N 发布时间 时间:2025/5/26 12:10:17 查看 阅读:13

5CEBA7F23C8N 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  其封装形式为 TO-252(DPAK),支持表面贴装技术,适合高密度集成设计。

参数

型号:5CEBA7F23C8N
  类型:N沟道增强型MOSFET
  工作电压:30V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:19nC(最大值)
  开关时间:t_on=15ns,t_off=12ns
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

5CEBA7F23C8N 的主要特点是低导通电阻和高开关速度,这使得它非常适合于高频开关应用。此外,其出色的热性能确保了在高功率条件下仍能保持稳定运行。
  具体特性包括:
  - 低导通电阻:有助于降低功耗,提高系统效率。
  - 高开关速度:减少开关损耗,适用于高频应用场景。
  - 优异的热性能:能够在高温环境下长时间稳定运行。
  - 小型化封装:占用PCB空间少,适合高密度设计。
  - 高可靠性:通过严格的测试和验证流程,保证在各种环境下的稳定性。

应用

这款芯片广泛应用于多种电子设备中,尤其是在需要高效功率转换的场合。其典型应用领域包括:
  - 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、反激式变换器等。
  - 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机。
  - 电池管理系统:实现电池充放电保护和负载切换。
  - 汽车电子:如车载充电器、LED驱动等。
  - 工业自动化:用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动等设备。

替代型号

5CEBA7F23C8P, IRF540N, FDN337N

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5CEBA7F23C8N参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥1,839.53000托盘
  • 系列Cyclone? V E
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • LAB/CLB 数56480
  • 逻辑元件/单元数149500
  • 总 RAM 位数7880704
  • I/O 数240
  • 栅极数-
  • 电压 - 供电1.07V ~ 1.13V
  • 安装类型表面贴装型
  • 工作温度0°C ~ 85°C(TJ)
  • 封装/外壳484-BGA
  • 供应商器件封装484-FBGA(23x23)