5CEBA7F23C8N 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
其封装形式为 TO-252(DPAK),支持表面贴装技术,适合高密度集成设计。
型号:5CEBA7F23C8N
类型:N沟道增强型MOSFET
工作电压:30V
连续漏极电流:16A
导通电阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:19nC(最大值)
开关时间:t_on=15ns,t_off=12ns
结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
5CEBA7F23C8N 的主要特点是低导通电阻和高开关速度,这使得它非常适合于高频开关应用。此外,其出色的热性能确保了在高功率条件下仍能保持稳定运行。
具体特性包括:
- 低导通电阻:有助于降低功耗,提高系统效率。
- 高开关速度:减少开关损耗,适用于高频应用场景。
- 优异的热性能:能够在高温环境下长时间稳定运行。
- 小型化封装:占用PCB空间少,适合高密度设计。
- 高可靠性:通过严格的测试和验证流程,保证在各种环境下的稳定性。
这款芯片广泛应用于多种电子设备中,尤其是在需要高效功率转换的场合。其典型应用领域包括:
- 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、反激式变换器等。
- 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机。
- 电池管理系统:实现电池充放电保护和负载切换。
- 汽车电子:如车载充电器、LED驱动等。
- 工业自动化:用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动等设备。
5CEBA7F23C8P, IRF540N, FDN337N