时间：2025/6/4 2:43:25
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BDFN2C081V35 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于多种电力电子应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。其封装形式为 TO-252（DPAK），能够满足紧凑设计的需求。BDFN2C081V35 适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理电路中。
该 MOSFET 的关键特点在于它的高效率表现，同时其额定电压和电流参数使其非常适合中低压应用场景。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ
栅极电荷（Qg）：7nC
输入电容（Ciss）：330pF
反向恢复时间（trr）：60ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
BDFN2C081V35 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗，特别适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小尺寸封装，便于 PCB 布局设计，节省空间。
5. 宽温度范围支持，确保在极端环境下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
这些特性使 BDFN2C081V35 成为众多高效能电力转换和控制应用的理想选择。
BDFN2C081V35 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和初级开关。
2. 便携式设备中的负载开关和电池保护。
3. 各类 DC-DC 转换器的设计，包括降压、升压和升降压拓扑。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 工业自动化和消费类电子产品的电源管理系统。
由于其高效的性能和小尺寸封装，BDFN2C081V35 在需要高密度集成和低功耗的应用场景中表现出色。
BSC082N06NS3G, IRF7413, FDP087N06L
