时间：2025/9/6 14:00:54
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2SK3447TZ-E是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电机驱动电路。该MOSFET采用先进的沟槽式（Trench）结构技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高频工作条件下保持较低的开关损耗。2SK3447TZ-E通常采用TO-252（DPak）封装，适用于表面贴装工艺，具有良好的热稳定性和机械强度。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：最大4.3mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPak）
功率耗散（Pd）：100W
2SK3447TZ-E具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率密度电源设计中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽式结构，优化了载流子分布，从而在保持高电流密度的同时降低了导通压降。此外，该器件具备良好的热稳定性，TO-252封装能够有效散热，适用于高功率应用场景。2SK3447TZ-E还具有较快的开关速度，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。2SK3447TZ-E还具备良好的短路耐受能力，提高了系统的可靠性和安全性。
在制造工艺方面，该器件采用了东芝独有的功率MOSFET制造技术，确保了优异的器件一致性和稳定性。同时，TO-252封装具备良好的焊接性能，适用于自动化表面贴装工艺，提高生产效率。该器件还具备良好的抗湿热性能，适用于高湿度或高温环境下的工业应用。综合来看，2SK3447TZ-E是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，广泛适用于各种高效率电源系统。
2SK3447TZ-E主要应用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及电动工具和电动车驱动系统。由于其低导通电阻和高频特性，该MOSFET特别适用于同步整流电路和高频开关电源设计。此外，它也可用于高电流负载开关、电源管理模块和LED照明驱动电路。在工业自动化控制系统中，该器件可用于高精度电机控制和电源调节模块。2SK3447TZ-E的高可靠性和良好散热性能也使其适用于车载电子系统和新能源设备中的功率转换模块。
SiR178DP-T1-GE3, IRF1710TRL7PP, SQJA40EP, FDS6680
