时间：2025/6/6 10:42:58
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5AGXMB1G4F31I3N 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片，主要应用于嵌入式系统、消费类电子和工业控制等领域。该芯片采用先进的制程工艺，具备高可靠性和低功耗特性，能够满足现代设备对大容量存储和快速数据传输的需求。
该型号属于大容量闪存系列，支持多种接口模式和配置选项，适用于需要频繁读写操作的场景。
容量：128GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
数据传输速率：400MB/s
擦写寿命：3000次
封装形式：BGA
工作温度范围：-25℃至+85℃
5AGXMB1G4F31I3N 芯片采用了最新的 NAND 技术，具备以下显著特点：
1. 高密度存储：通过多层单元（MLC）技术实现了大容量存储，适合各种复杂应用。
2. 快速读写性能：支持高速 Toggle Mode 接口，能够提供高达 400MB/s 的数据传输速度。
3. 低功耗设计：优化了芯片的工作状态管理，降低了整体能耗，延长设备续航时间。
4. 可靠性高：具备错误校正码（ECC）功能，能有效减少数据传输中的误码率。
5. 广泛的工作温度范围：适用于恶劣环境下的工业级应用。
这款芯片广泛应用于需要大容量存储和高效数据处理能力的场景中，例如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、网络路由器、安防监控设备以及工业自动化控制系统等。同时，它也适合作为外部存储扩展模块使用，以提升系统的整体性能。
5AGXMB1G4F31I2M, 5AGXMB1G4F31I4P
