KTK5164S-RTK/P 时间：2025/9/12 13:34:09 阅读：6

KTK5164S-RTK/P 是一款由 KEC（现为 MagnaChip Semiconductor）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率的功率管理应用，例如电源转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统。该 MOSFET 采用先进的平面工艺技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。该器件通常采用 TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：160A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTK5164S-RTK/P 的核心优势在于其极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。该 MOSFET 在高电流条件下仍能保持稳定运行，适合用于高功率密度的设计。其高耐压能力（60V）使其适用于多种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等。
　　该器件的封装设计（TO-252）有助于良好的热管理，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），支持与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　在可靠性方面，KTK5164S-RTK/P 具备出色的短路和过热保护能力，在极端工作条件下仍能保持稳定运行。这使得它非常适合用于工业控制、汽车电子、服务器电源等对可靠性要求较高的应用场景。
　　同时，该 MOSFET 提供了良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中维持正常工作。其高频开关性能也有助于减小外围元件的尺寸，提升整体系统的紧凑性。

应用

KTK5164S-RTK/P 适用于多种高功率电子系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS 不间断电源、逆变器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。在汽车电子领域，它也可用于车载充电器、电动助力转向系统、电动刹车系统等关键部件。此外，该器件在服务器电源、通信设备电源以及新能源系统（如太阳能逆变器）中也有广泛应用。