时间：2025/5/27 10:44:10
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5AGXBB5D4F40I5 是一款高性能的射频功率放大器芯片，广泛应用于无线通信设备中。该芯片采用了先进的 GaN（氮化镓）工艺技术，具有高效率、高增益和宽带宽的特点。其设计适用于基站、雷达系统和其他需要高输出功率的应用场景。该芯片在工作频率范围、线性度和可靠性方面表现出色。
型号：5AGXBB5D4F40I5
工艺：GaN（氮化镓）
工作频率范围：3.3 GHz 至 4.2 GHz
输出功率：40 W
增益：12 dB
效率：60%（典型值）
电源电压：28 V
静态电流：2 A
封装形式：QFN-24
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
5AGXBB5D4F40I5 具有高效率和高输出功率，能够满足现代通信系统对射频性能的需求。
采用 GaN 工艺制造，提供更高的功率密度和更宽的工作带宽。
内置匹配网络，简化了外部电路设计并提高了集成度。
具备良好的热性能，可长时间稳定运行。
支持多种调制方式，适合复杂的通信协议要求。
低失真特性使其非常适合多载波应用环境。
该芯片主要应用于无线通信基础设施领域，包括但不限于：
蜂窝基站中的射频功率放大器模块。
点对点微波传输设备。
军事和民用雷达系统。
卫星通信地面站设备。
测试与测量仪器中的高功率信号源。
工业、科学和医疗（ISM）频段相关设备。
5AGXBB5D4F35I5
5AGXBB5D4F45I5
5AGXBB5D4F50I5
