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200N06 发布时间 时间:2025/9/3 3:44:58 查看 阅读:10

200N06是一款高功率MOSFET晶体管,通常用于高电流和高功率应用,如电源管理、马达控制和逆变器设计。该器件属于N沟道增强型MOSFET,具有较低的导通电阻(RDS(on))以及良好的热性能,适合高效率电源系统的设计。200N06具备良好的开关性能和高耐用性,适用于需要高功率密度的设计场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  漏极电流(ID):200A
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约1.7mΩ
  封装类型:TO-264
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

200N06的主要特性包括其高电流承载能力、低导通电阻以及优异的热稳定性。由于其RDS(on)较低,可以显著减少导通损耗,从而提高整体系统的能效。此外,该器件的封装形式(TO-264)提供了较好的散热性能,适合高功率密度应用场景。200N06还具有较快的开关速度,使其适用于高频开关电源设计。在极端温度条件下,该MOSFET依然能够保持稳定的性能,表现出良好的可靠性和耐用性。
  该器件的栅极驱动要求较低,一般只需要10V左右的栅极电压即可完全导通,使其适用于多种驱动电路设计。同时,其高耐压特性(60V)使其能够在较为严苛的电力环境下工作,例如工业自动化和电动汽车系统。

应用

200N06常用于需要高电流和高功率处理能力的电路中,例如DC-DC转换器、电动工具、电动汽车的电池管理系统(BMS)、工业电机驱动器和逆变器。在电源管理领域,200N06被广泛用于高效能的同步整流器设计,以及高功率密度的开关电源(SMPS)中。此外,在太阳能逆变器和储能系统中,该器件也发挥着重要作用,帮助提高系统的整体能效和稳定性。

替代型号

IRF2807-7P,SiR826DP-T1-GE3,FDP200N06

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