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IRFP140N 发布时间 时间:2025/6/4 2:00:53 查看 阅读:5

IRFP140N是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的技术设计,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种开关电源、电机驱动以及工业控制应用。IRFP140N以其优异的电气性能和稳定性著称,非常适合需要高效能和可靠性的场景。
  该器件主要以TO-220封装形式提供,便于散热管理和安装使用。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:32A
  最大栅极源极电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ
  总功耗:185W
  结温范围:-55°C 至 175°C
  存储温度范围:-65°C 至 150°C
  开关速度:快速开关

特性

IRFP140N具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在大电流应用场景中表现出色,能够有效减少传导损耗并提高效率。
  此外,该器件具备良好的热稳定性,在高结温条件下仍能保持稳定的性能。
  其快速开关特性有助于降低开关损耗,并支持高频操作,非常适合用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器等应用。
  由于采用了坚固的设计,IRFP140N还具有较高的抗雪崩能力和鲁棒性,能够在恶劣的工作条件下正常运行。

应用

IRFP140N广泛应用于各类电力电子设备中,例如开关电源、不间断电源(UPS)、电机驱动器、工业控制器、逆变器和电池充电器等。
  在消费类电子产品领域,它可以用于笔记本电脑适配器、电视电源以及其他家电产品中的高效能功率转换电路。
  此外,该器件也常被用于电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)及辅助电源模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP32NF10
  FDP150N10S
  IXFN140N10T2

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IRFP140N参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs94nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AC
  • 包装散装
  • 其它名称*IRFP140N