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5AGXBA3D4F31I5N 发布时间 时间:2025/6/19 14:35:08 查看 阅读:3

5AGXBA3D4F31I5N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,专为高频率开关应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,在提高效率的同时降低了导通和开关损耗。其主要应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换等领域。
  该型号具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热稳定性,适合需要高效率和高可靠性的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关时间:开启时间 9ns,关闭时间 12ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

1. 极低的导通电阻,有效降低功率损耗。
  2. 快速的开关速度,适用于高频电路。
  3. 高可靠性设计,能够在极端温度条件下稳定运行。
  4. 具备良好的热性能,确保长时间运行时的稳定性。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率调节。
  5. 太阳能逆变器及 UPS 系统的核心组件。
  6. 各类 DC-DC 转换器的功率级元件。

替代型号

IRFZ44N
  STP12NF06
  FDP15N6S
  IXYS12N60C

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