时间：2025/4/28 17:14:36
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FQD13N10是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其额定电压为100V，能够满足多种中低压应用场景的需求。
由于其优异的电气特性，FQD13N10在功率电子设计中备受青睐，尤其适合需要高效能和紧凑解决方案的应用场合。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：13A
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：140W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率转换，减少了传导损耗。
2. 高速开关性能，降低了开关损耗，提升了系统效率。
3. 具有良好的雪崩能力和鲁棒性，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 封装散热性能优越，支持大功率应用。
5. 栅极电荷小，驱动功耗低，适合高频工作环境。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
6. 工业自动化设备中的功率级控制模块。
IRFZ44N, FQP13N10, STP13NF06
