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50WQ06FN 发布时间 时间:2025/10/28 9:16:30 查看 阅读:9

50WQ06FN是一款由Vishay Semiconductor生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),专为高效率、高频整流应用而设计。该器件采用先进的平面技术制造,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于各种电源转换和保护电路中。50WQ06FN属于双二极管配置,封装形式为TO-247AC,这种大功率封装能够有效散热,适合在高电流和高温环境下稳定工作。该器件广泛用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及续流和极性保护应用中。由于其出色的热性能和电气性能,50WQ06FN能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行,是工业级和商用级电源系统中的理想选择之一。此外,该器件符合RoHS指令要求,无铅且环保,支持现代绿色电子产品的设计理念。其金属-硅结结构提供了比传统PN结二极管更低的导通损耗,从而提升了整体系统的能效表现。

参数

型号:50WQ06FN
  制造商:Vishay Semiconductor
  二极管类型:肖特基势垒二极管
  配置:双共阴极(Dual Common Cathode)
  最大重复峰值反向电压(VRRM):60V
  平均整流电流(Io):50A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):350A(单个半周期正弦波)
  正向压降(VF):典型值0.58V(在50A, 125°C时)
  最大反向漏电流(IR):500μA(在125°C时)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  热阻(RθJC):1.2°C/W(每个元件)
  封装/包装:TO-247AC

特性

50WQ06FN的核心优势在于其低正向电压降与高电流处理能力的结合,这使其在大功率开关电源应用中表现出色。该器件采用优化的平面肖特基技术,实现了从金属到半导体的整流接触,显著降低了导通状态下的功耗。在满载工作条件下,例如在50A电流下,其正向压降仅为约0.58V(在125°C时),这意味着每个二极管的导通损耗仅为约29W,相较于传统快恢复二极管或超快恢复二极管有明显改善。这一特性有助于提高电源的整体效率,并减少对额外散热措施的需求。
  另一个关键特性是其极快的开关速度。由于肖特基二极管本质上是一种多数载流子器件,不存在少数载流子的储存时间问题,因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计。这使得50WQ06FN非常适合用于高频整流场合,如工作频率高达数百kHz甚至更高的DC-DC变换器中,可有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰(EMI),从而提升系统稳定性与可靠性。
  该器件还具备良好的热稳定性与长期可靠性。TO-247AC封装不仅机械强度高,而且具有优异的热传导性能,热阻(RθJC)仅为1.2°C/W,意味着即使在高功率密度下也能将热量迅速传递至散热器,防止过热损坏。同时,器件可在-65°C至+150°C的宽结温范围内正常工作,适应极端环境条件,适用于工业、通信及汽车电子等严苛应用场景。
  此外,50WQ06FN通过了严格的品质认证,符合国际环保标准,不含铅(Pb-free),满足RoHS指令要求。其封装材料具有良好的耐湿性和抗老化性能,确保在长时间运行中保持稳定的电气参数。这些综合特性使50WQ06FN成为高性能电源设计中不可或缺的关键元器件之一。

应用

50WQ06FN主要应用于需要高效、大电流整流的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS),尤其是在服务器电源、电信电源和工业电源模块中作为输出整流二极管使用。由于其低正向压降和高电流承载能力,它能在大电流输出条件下显著降低导通损耗,提高电源转换效率。
  在DC-DC转换器中,特别是同步整流拓扑尚未普及或成本受限的应用中,50WQ06FN常被用作次级侧整流元件,以实现高效的电压转换。其快速开关特性减少了反向恢复损耗,有利于提升高频工作的稳定性。
  此外,该器件也广泛用于逆变器系统中,如太阳能逆变器和UPS不间断电源,作为续流二极管或钳位保护元件,帮助管理感性负载产生的反电动势,防止主开关器件受到电压冲击。
  在电机驱动和电焊设备等高功率工业控制系统中,50WQ06FN可用于提供可靠的整流和保护功能。其坚固的TO-247AC封装和出色的热性能使其能够在高温、高湿度和强振动环境中长期稳定运行,满足工业级应用的严苛要求。

替代型号

MBR50H60CT

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50WQ06FN参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)60V
  • 电流 - 平均整流 (Io)5.5A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)570mV @ 5A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3mA @ 60V
  • 电容@ Vr, F360pF @ 5V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*50WQ06FNVS-50WQ06FNVS-50WQ06FN-NDVS50WQ06FNVS50WQ06FN-ND