50CE1FE 时间：2025/9/20 13:34:32 阅读：8

50CE1FE 是一款由 Littelfuse 生产的瞬态电压抑制二极管（TVS 二极管），主要用于电路中的过压保护。该器件属于陶瓷封装的气体放电管（GDT，Gas Discharge Tube）类型，广泛应用于通信设备、电信线路、工业控制系统以及防雷保护电路中。50CE1FE 能够在遭遇雷击、静电放电（ESD）、电涌或其他瞬态过电压事件时迅速导通，将有害的高能量脉冲引导至地线，从而保护下游敏感电子元件免受损坏。该器件具有较高的击穿电压和优异的电流承载能力，适用于交流和直流系统中的初级或次级保护级。其陶瓷封装结构提供了良好的热稳定性和长期可靠性，同时具备低电容特性，不会对信号完整性造成显著影响，适合用于高频信号线路的保护。此外，50CE1FE 符合多项国际安全标准，包括 IEC、Telcordia 和 UL 等认证，确保其在严苛环境下的稳定运行。

参数

器件类型：气体放电管（GDT）
　　封装形式：轴向引线陶瓷封装
　　直流击穿电压（Vdc）：48V 至 65V
　　标称冲击放电电流（8/20μs）：5kA
　　最大持续工作电压（AC RMS）：50V
　　电容典型值：≤1pF
　　绝缘电阻：≥10^9 Ω
　　响应时间：纳秒级（依赖于上升时间）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）

特性

50CE1FE 气体放电管的核心特性在于其卓越的瞬态过压防护能力和高能量吸收性能。作为一款陶瓷封装的 GDT 器件，它利用惰性气体在高压下发生电离放电的物理原理来实现快速响应和大电流泄放。当线路电压低于其直流击穿电压范围（48V~65V）时，器件呈现极高阻抗状态，漏电流极小，几乎不影响正常电路运行；一旦出现瞬态过压超过其启辉电压，内部气体迅速电离形成低阻导电通道，将数千安培级别的浪涌电流安全导入地线，从而有效钳制电压上升幅度，保护后级半导体器件如 IC、光模块、接口芯片等不被损坏。该器件可承受高达 5kA 的 8/20μs 标准雷击电流冲击，且能多次重复动作而不劣化，展现出出色的耐久性和稳定性。
　　另一个关键优势是其极低的寄生电容（典型值 ≤1pF），使其非常适合用于高频通信线路，例如电话线路、DSL、RS-485、以太网接口等，不会引入信号衰减或失真问题。同时，由于采用密封陶瓷结构，50CE1FE 具有良好的防潮、抗腐蚀和热循环性能，在恶劣工业环境或户外应用中仍能保持长期可靠工作。其响应速度虽不及半导体 TVS，但在高能量脉冲场景下更具优势，常作为多级保护方案中的第一级粗保护元件，与后续的压敏电阻（MOV）或 TVS 二极管配合使用，构建完整的浪涌抑制体系。此外，该产品符合 RoHS 指令要求，并通过了多项通信行业认证，适用于全球范围内的电信基础设施建设。

应用

50CE1FE 主要应用于需要高可靠性过压保护的通信与工业领域。典型应用场景包括：电信交换设备中的用户线路接口保护（SLIC）、程控交换机、配线架防雷模块、DSLAM 宽带接入设备、光纤网络终端（ONT/ONU）、有源以太网（PoE）系统的初级保护、铁路信号系统、安防监控系统的远程传输线路保护等。在这些系统中，设备往往暴露于长距离电缆带来的雷击感应或电力线搭接风险，因此必须配置高效可靠的初级浪涌保护器件。50CE1FE 因其高通流能力和稳定性，常被用作多级保护架构的第一级，承担大部分能量泄放任务。此外，该器件也适用于工业自动化控制系统的现场总线保护，如 PROFIBUS、Modbus 等 RS-485 接口的浪涌防护，防止因电机启停或静电积累导致的通信中断或设备损坏。在电源输入端口或信号输入前端，50CE1FE 可与其他保护元件（如 PTC 自恢复保险丝、MOV、TVS）组合使用，形成协同保护机制，在不影响信号质量的前提下提供全面的电磁兼容（EMC）防护能力。